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> 2SD1453
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1453
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压，高转速
·内置阻尼二极管
应用
·对于电视水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
6
3
3.5
50
150
-45~150
单位
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
= 200毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.8A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.8A
V
CE
= 1500V ;
BE
==
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
I
F
=3A
I
CP
= 2.75A ;我
B1
= 0.6A ;我
B2
?-1.3A
6
民
6
2SD1453
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
h
FE
V
F
t
f
典型值。
最大
单位
V
5.0
1.5
0.5
V
V
mA
2.2
0.8
V
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1453
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1453
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，高速
.Built式
阻尼二极管
应用
For
电视水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
6
3
3.5
50
150
-45~150
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
h
FE
V
F
t
f
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
= 200毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.8A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.8A
V
CE
= 1500V ;
BE
=∞
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
I
F
=3A
I
CP
= 2.75A ;我
B1
= 0.6A ;我
B2
≈-1.3A
6
民
6
2SD1453
典型值。
最大
单位
V
5.0
1.5
0.5
V
V
mA
2.2
0.8
V
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1453
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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2SD1453
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