直流分量CO 。 ， LTD 。
R
B40C
5000
RS501
THRU
B380C RS507
5000
整流器SPECIALISTS
技术规格
单相硅桥式整流器
电压范围 - 50到1000伏特
电流 - 5.0安培
特点
*高浪涌能力cuhent
*理想的印刷电路板
*低正向电压
RS-5
.188(4.8)x45
机械数据
*
*
*
*
*
*
案例：模压塑料
环氧树脂： UL 94V- 0率阻燃
导语： MIL - STD- 202E ，方法208保证
极性：符号模压或标记体
安装位置：任意
重量： 25.3克
.855(21.7)
.825(21.0)
.825(21.0)
.795(20.2)
.042(1.07)
.038(0.97)
1.0
(25.4)
.400 .300 .300 .365
.385 .285 .285 .345
S PA C I
(10.2) (7.6) (7.6) (9.3)
(9.8) (7.2) (7.2) (8.8)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
.265(6.7)
.245(6.2)
1.580(40.1)
1.550(39.4)
.195(5.0)
.180(4.6)
尺寸以英寸（毫米）
B40C
5000
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 50 C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
每件最大正向电压降在3.0A DC
CD的最大反向电流在额定
每个元素阻断电压DC
I T额定值融合（ t<8.3ms ）
典型结电容（注1）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.Measured在1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
2
o
B80C
5000
RS503
200
140
200
B125C
5000
RS504
400
280
400
5.0
30
1.0
10
B250C
5000
RS505
600
420
600
RS506
800
560
800
B380C
5000
RS507
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
安培
伏
uAmps
几秒钟之内
pF
0
RS501
50
35
50
RS502
100
70
100
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
o
@T
A
= 25 C
@T
A
= 100 C
o
I
R
500
余吨
C
J
RθJ一
T
J
T
英镑
2
312
15
2.0
-55 + 125
-55到+ 150
2
C / W
0
0
C
C
2.热阻结到环境，并从交界处领导安装在PCB 0.47 X 0.47" （ 12x12mm ）铜焊盘。
206
NEXT
NEXT
NEXT
后
后
后
出口
出口
出口
WTE
功率半导体
B40C5000 / 3300 - B380C5000 / 3300
5.0A桥式整流器
特点
!
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
A
B
+
~ ~ -
C
D
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量： 25.3克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
E
K
G
RS-5
暗淡
民
最大
39.40
40.10
A
20.20
21.00
B
21.00
21.70
C
25.40
—
D
0.97
1.07
E
6.20
6.70
G
9.80
10.20
H
7.20
7.60
J
4.60
5.00
K
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
B40C5000/
3300
100
40
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
推荐输入电压
平均整流输出电流
@T
A
= 45 ° C（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
重复峰值正向浪涌电流
正向电压（每件）
@I
F
= 5.0A
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RMS
I
O
B80C5000 / B125C5000 / B250C5000 / B380C5000 /
单位
3300
3300
3300
3300
200
80
300
125
5.0
600
250
900
380
V
V
A
I
FSM
I
FRM
V
FM
I
R
I
2
t
T
j,
T
英镑
250
30
1.1
10
6.0
312
-55到+150
A
A
V
A
mA
A
2
s
°C
峰值反向电流
@T
C
= 25°C
在额定阻断电压DC @T
C
= 150°C
额定值融合（T < 8.3ms的） （注2 ）
工作和存储温度范围
*玻璃钝化形式可根据要求提供。
注： 1.测得200厘米
2
底盘， C-负荷，T
A
= 45°C.
2.非重复性对于T >毫秒和< 8.3ms的。
B40C5000 / 3300 - B380C5000 / 3300
1作者：
3
2002韩元鼎好电子
6
5
100
I
F
瞬时正向电流（A）
I
（AV）
，平均输出电流（ A）
4
3
10
2
1.0
1
单相半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300毫秒
0
20
40
60
80
100 120 140
T
A
，环境温度（℃ ）
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
1.1 1.2 1.3
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 2典型正向特性，每个元素
250
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
400
200
C
j
，电容（pF ）
150
100
100
50
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
T
j
= 25C
F = 1MHz的
0
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
，瞬时反向电流（mA）
10
10
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容每元
1
T
j
= 100C
1.0
0.1
T
j
= 25C
0.01
0
20
40
60
80
100 120 140
峰值反向额定电压的百分比（％ ）
图。 5典型的反向特性
B40C5000 / 3300 - B380C5000 / 3300
2 3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
B40C5000/3300
B80C5000/3300
B125C5000/3300
B250C5000/3300
B380C5000/3300
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
200单位/箱
200单位/箱
200单位/箱
200单位/箱
200单位/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量，请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
B40C5000 / 3300 - B380C5000 / 3300
3 3
WTE
功率半导体
B40C5000 / 3300 - B500C5000 / 3300
Pb
5.0A单相桥式整流器
特点
!
扩散结
!
低正向压降
A
!
高电流能力
!
高可靠性
!
高浪涌电流能力
B
C
+
~ ~ -
!
高的情况下电介质强度
!
理想的印刷电路板
D
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例： RS - 5 ，模塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量： 9.8克（约）
G
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
E
K
RS-5
暗淡
民
最大
39.40
40.10
A
20.20
21.00
B
21.00
21.70
C
25.40
—
D
0.97
1.07
E
6.20
6.70
G
9.80
10.20
H
7.20
7.60
J
4.60
5.00
K
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
推荐输入电压
平均整流输出电流@T
A
= 45°C
（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
重复峰值正向浪涌电流
每腿正向电压
@I
F
= 5.0A
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RMS
I
O
B40C
B80C
B125C
B250C
B380C
B500C
单位
5000/3300 5000/3300 5000/3300 5000/3300 5000/3300 5000/3300
100
40
200
80
300
125
5.0
600
250
900
380
1000
500
V
V
A
I
FSM
I
FRM
V
FM
I
R
I
2
t
R
θJA
T
j,
T
英镑
250
30
1.0
10
6.0
110
2.6
-55到+150
A
A
V
A
mA
A
2
s
° C / W
°C
峰值反向电流
@T
C
= 25°C
在额定阻断电压DC @T
C
= 125°C
额定值融合（T < 8.3ms的） （注2 ）
典型热阻每支架（注1 ）
工作和存储温度范围
注：1，安装200毫米
2
金属底盘。
2.非重复性对于T >毫秒和< 8.3ms的。
B40C5000 / 3300 - B500C5000 / 3300
1 4
2006韩元鼎好电子
6
5
100
I
F
瞬时正向电流（A）
I
（AV）
，平均输出电流（ A）
4
3
10
2
1.0
1
单相半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25”C
脉冲宽度= 300毫秒
0
20
40
60
80
100 120 140
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
1.1 1.2 1.3
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 2典型正向特性，每个元素
250
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
400
200
C
j
，电容（pF ）
150
100
100
50
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
T
j
= 25”C
F = 1MHz的
0
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
，瞬时反向电流（mA）
10
10
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容每元
1
T
j
= 100”C
1.0
0.1
T
j
= 25”C
0.01
0
20
40
60
80
100 120 140
峰值反向额定电压的百分比（％ ）
图。 5典型的反向特性
B40C5000 / 3300 - B500C5000 / 3300
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标识信息
WTE
BxxC5000/3300
+
~ ~ -
WTE
BxxC5000/3300
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 40, 80, 125, 250, 380, 500
=对人体标示
包装信息
体积
内箱尺寸
长x宽x高（mm ）
230 x 230 x 56
QUANTITY
（ PCS）的
200
外箱尺寸
长x宽x高（mm ）
500 x 255 x 275
QUANTITY
（ PCS）的
2,000
约。总重量
（公斤）
23.0
注意：
1.纸盒，白色或棕褐色。
B40C5000 / 3300 - B500C5000 / 3300
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订购信息
产品编号
B40C5000/3300
B80C5000/3300
B125C5000/3300
B250C5000/3300
B380C5000/3300
B500C5000/3300
1.
2.
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
200单位/箱
200单位/箱
200单位/箱
200单位/箱
200单位/箱
200单位/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
如需订购无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀部分
上述数字。例如， B40C5000 / 3300 -LF 。
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责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
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警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
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电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
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互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
B40C5000 / 3300 - B500C5000 / 3300
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