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分立半导体
数据表
BLF248
甚高频推挽功率MOS
晶体管
产品speci fi cation
1992年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频推挽功率MOS晶体管
特点
高功率增益
简单的电源控制
良好的热稳定性
黄金金属确保
出色的可靠性。
描述
5
5
3
顶视图
BLF248
引脚配置
1
halfpage
2
d2
g2
g1
d1
MBB157
s
双推挽硅的N沟道
增强型垂直D- MOS
晶体管,专为大信号
在VHF放大器应用
频率范围。
该晶体管被封装在一个
4引脚SOT262 A1平衡法兰
包络线,用两个陶瓷帽。该
安装法兰提供
为共源极连接
晶体管。
钉扎 - SOT262 A1
1
2
3
4
5
描述
排水1
排水2
门1
门2
来源
4
MSB008
Fig.1简化外形和符号。
小心
该器件采用防静电包装中提供。栅源输入必须
运输和装卸过程中加以保护,防止静电。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定
该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理,使用或处置
本产品应该知道它的性质和所需的安全性的
预防措施。使用后,处理为根据化学品或特殊废物
规定施加于用户的位置。它绝不能丢
用一般的或生活垃圾。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在推挽式共源测试电路。
操作模式
AB类
f
(兆赫)
225
175
V
DS
(V)
28
28
P
L
(W)
300
300
G
P
( dB)的
& GT ;
10
(典型值) 。 13
η
D
(%)
& GT ;
55
(典型值) 。 67
1992年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频推挽功率MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统(IEC 134)。
每个晶体管部分,除非另有规定ED 。
符号
V
DS
±V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
总功耗
储存温度
条件
最多至T
mb
= 25
°C
总的设备;
这两部分同样装
65
分钟。
BLF248
马克斯。
65
20
25
500
150
单位
V
V
A
W
°C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
从热阻
结到安装基座
从热阻
安装底座到散热片
条件
总的设备;两节
同样加载。
总的设备;两节
同样加载。
热阻
0.35 K / W
0.15 K / W
10
2
手册, halfpage
ID
(A)
(1)
(2)
MRA933
MGP203
手册, halfpage
600
P合计
(W)
400
(2)
(1)
10
200
1
1
10
VDS ( V)
10
2
0
0
50
100
TH( ° C)
150
( 1)电流是此区域可以由R限于
DS ( ON)
.
(2) T
mb
= 25
°C.
总的设备;这两部分同样装载。
( 1 )连续运行。
(2)不匹配时短时操作。
总的设备;这两部分同样装载。
图2 DC飙升。
图3电源/温度降额曲线。
1992年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频推挽功率MOS晶体管
(每节)特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
GS
g
fs
g
fs1
/g
fs2
R
DS ( ON)
I
DSX
C
is
C
os
C
rs
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
栅极 - 源极电压差
这两个晶体管部分
正向跨导
正向跨导率
这两个晶体管部分
漏源导通电阻
通态漏电流
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
V
GS
= 0; I
D
= 100毫安
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 100毫安; V
DS
= 10 V
I
D
= 100毫安; V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A; V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A; V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A; V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
分钟。
65
2
5
0.9
BLF248
典型值。马克斯。单位
7.5
0.1
37
500
360
46
5
1
4.5
100
1.1
0.15
A
pF
pF
pF
V
mA
A
V
mV
S
手册, halfpage
0
MGP204
MGP205
T.C.
(毫伏/ K)的
1
手册, halfpage
60
ID
(A)
40
2
3
20
4
5
10
1
1
ID ( A)
10
0
0
5
10
15
VGS ( V)
20
V
DS
= 10 V.
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.4
栅 - 源温度COEF网络cient
电压为漏极电流的函数,典型
每节值。
Fig.5
漏电流的栅源极间的函数
电压,每节的典型值。
1992年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频推挽功率MOS晶体管
BLF248
MGP207
MGP206
手册, halfpage
200
手册, halfpage
1500
RDS ( ON)
(m)
C
(PF )
1000
100
500
CIS
COS
0
0
0
50
100
TJ ( ° C)
150
0
10
20
30
VDS ( V)
40
I
D
= 8 A; V
GS
= 10 V.
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
Fig.6
漏极 - 源极导通电阻为
结温度的函数,典型
每节值。
Fig.7
输入和输出电容的功能
漏极 - 源极电压,典型值每
部分。
MGP208
手册, halfpage
600
CRS
(PF )
400
200
0
0
10
20
30
VDS ( V)
40
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
Fig.8
反馈电容的一个函数
漏极 - 源极电压,每典型值
部分。
1992年9月
5
BLF248
甚高频功率MOSFET
N沟道增强模式
描述:
ASI BLF248
是一个平衡
N沟道增强模式
RF功率MOSFET专为AM
和FM功率放大器应用
高达250兆赫。
功能包括:
P
G
= 11 dB,典型值在225兆赫
5:1
负载VSWR能力
Omnigold
金属化系统
包装风格.400 BAL FLG (D )
最大额定值
I
D
V
DSS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
40 A
65 V
±40
V
500瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 150℃
-65℃至+ 200C
0.35 C / W
O
O
O
O
1 & 2 =漏极
3 & 4 = GATE
5 =源
订货编号: ASI10495
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
G
η
D
ψ
T
C
= 25 C
O
测试条件
I
D
= 100毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 50 V
V
DD
= 28 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
I
D
= 100毫安
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 2× 250毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 300 W
F = 225 MHz的
最低
65
典型的最大
5.0
1.0
单位
V
mA
A
V
mS
1.0
3,500
380
190
25
10
50
11
55
5.0
pF
dB
%
V
SWR
= 5:1
在所有相位角
在输出功率不降低
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1202
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    BLF248
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    终端采购配单精选

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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    BLF248
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Philips
09+
800
一级代理
全新原装假一罚十
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PHILIPS
19+
6500
高频管
原装假一罚十,深圳有存货,北美、新加坡可发货
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电话:021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
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NXP
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SMD
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NXP代理
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