FDMC89521L双N沟道PowerTrench
MOSFET
2012年8月
FDMC89521L
双N沟道PowerTrench
MOSFET
60 V ， 8.2 A， 17毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 17毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 8.2 A
最大
DS （ ON）
= 27毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.7 A
终止是无铅
符合RoHS
概述
该器件包括两个60 V的N沟道MOSFET的在双
电源33（3毫米× 3毫米MLP）的包。该包是
增强了对卓越的散热性能。
应用
电池保护
负载开关
桥拓扑
销1
G1 S1 S1 S1
D1
D2
G1
G2
S1
S2
S1
G2 S2 S2 S2
电源33
S1
S2
S2
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注3）
（注1A ）
（注1B ）
T
A
= 25 °C
)
（注1A ）
参数
评级
60
±20
8.2
40
32
1.9
0.8
-55到+150
单位
V
V
A
mJ
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
65
155
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMC89521L
设备
FDMC89521L
包
电源33
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
2012仙童半导体公司
FDMC89521L版本C
1
www.fairchildsemi.com
FDMC89521L双N沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.2 A
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.7 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.2 A,
T
J
= 125 °C
V
DS
= 10 V，I
D
= 8.2 A
60
30
1
±100
V
毫伏/°C的
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
1
1.9
-6
13
21
20
28
17
27
26
S
mΩ
3
V
毫伏/°C的
g
FS
正向跨导
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
1228
243
10
0.7
1635
325
15
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 30 V,
I
D
= 8.2 A
V
DD
= 30 V，I
D
= 8.2 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
7.9
2.1
18
1.7
17
7.9
3.8
1.9
16
10
33
10
24
12
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 8.2 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.6 A
（注2 ）
（注2 ）
0.85
0.75
25
11
1.3
1.2
40
20
V
ns
nC
I
F
= 8.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。装在当65℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装时155℃ / W的
2盎司纯铜最低垫
SS
SF
DS
DF
G
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3. E
AS
32兆焦耳是基于起始物为
J
= 25
°
C，L = 1 mH的，我
AS
= 8 A，V
DD
= 54 V, V
GS
= 10 V 100 ％为L测试= 3 mH的，我
AS
= 5.4 A.
2012仙童半导体公司
FDMC89521L版本C
SS
SF
DS
DF
G
2
www.fairchildsemi.com
FDMC89521L双N沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
40
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4 V
4
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 4 V
I
D
，漏电流（ A）
30
3
V
GS
= 4.5 V
20
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3.5 V
2
10
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1
V
GS
= 5 V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0
0.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
10
20
I
D
,
漏电流（ A）
30
40
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
60
源导通电阻
(
m
Ω
)
1.8
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 8.2 A
V
GS
= 10 V
50
40
30
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
= 8.2 A
r
DS （ON ） ，
漏
T
J
= 125
o
C
20
10
0
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
2
4
6
8
V
GS
,
门源电压（ V）
10
图3.归一导通电阻
VS结温
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
40
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
30
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
= 5 V
100
V
GS
= 0 V
10
1
0.1
0.01
T
J
= 150
o
C
20
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
10
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2012仙童半导体公司
FDMC89521L版本C
3
www.fairchildsemi.com
FDMC89521L双N沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
10000
I
D
= 8.2 A
8
6
V
DD
= 20 V
V
DD
= 40 V
C
国际空间站
电容（pF）
V
DD
= 30 V
1000
C
OSS
100
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
1
0.1
1
10
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
60
20
I
AS
，雪崩电流（ A）
10
T
J
= 100
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
1
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
源自
测试数据
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 155
o
C / W
T
A
= 25 C
o
1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100 300
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图9.松开电感
交换能力
300
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
图10.正向偏置安全
工作区
100
10
单脉冲
R
θ
JA
= 155℃ / W
o
1
0.5
-3
10
T
A
= 25 C
o
10
-2
10
-1
1
T，脉冲宽度（秒）
10
100
1000
图11.单脉冲最大功率耗散
2012仙童半导体公司
FDMC89521L版本C
4
www.fairchildsemi.com
FDMC89521L双N沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 155℃ / W
o
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.001
-3
10
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图12.结至环境瞬态热响应曲线
2012仙童半导体公司
FDMC89521L版本C
5
www.fairchildsemi.com
