订购数量： EN5319A
N沟道MOSFET硅
FW203
超高速开关应用
特点
低导通电阻
包装尺寸
单位：mm
·超高速开关。
2129-SOP8
复合型两种4V驱动N沟道MOSFET
促进高密度安装。
·对相匹配的能力。
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
三洋： SOP8
[FW203]
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
条件
评级
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷基板
(1000mm
2
×0.8mm)
1unit
安装在陶瓷基板
(1000mm
2
×0.8mm)
30
±20
5
48
1.7
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
D-S间的击穿电压
零栅极电压漏电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源
导通状态电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
y
fs
RDS （ ON）
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 5A
ID = 5A ， VGS = 10V
ID = 5A ， VGS = 4V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
评级
民
30
典型值
最大
100
±10
2.5
8
36
58
550
330
120
46
78
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
1.0
5
接下页。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
O1397TS （ KOTO ） TA- 0100 No.5319-1 / 3
FW203
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