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二极管模块
DD(KD)30GB40/80
UL ; E76102 M)
功率二极管模块
DD30GB
系列设计用于各种整流电路。
DD30GB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高, 800V
是缴费关于各种输入电压。
26MAX
93.5MAX
80
3
2
+
1
2- 6.5
隔离
安装底座
简单的(单相和三相)桥一包两个元素
连接
高度可靠的玻璃钝化芯片
高浪涌电流能力
(应用程序)
各种整流器,电池充电器,直流马达驱动器
13
~
16.5
23
23
3M5
KD
21
30MAX
DD
单位:A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F AV)
I
F RMS )
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
I
2
t
结温
储存温度
绝缘击穿电压( R.M.S 。 )
MOUNTING
力矩
MOUNTING
(M6)
终奌站
(M5)
A.C.1minute
推荐值2.5-3.9 ( 25-40 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
评级
DD30GB40
400
480
条件
(Tj=25℃
除非另有规定编)
DD30GB80
800
960
评级
30
47
550/600
1500
40
to
+150
40
to
+125
2500
4.7(48)
2.7(28)
170
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
V
N½m
(㎏f½B)
g
单相半波, 180 °
传导,TC : 118 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 118 ℃
1
周期,
2
50/60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 150 ℃
FOWARD电流90A , TJ = 25 ℃ ,研究所。测量
结到外壳
评级
10
1.40
0.80
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C)热阻抗,最大。
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
DD(KD)30GB40/80
最大正向特性
功耗帕乌W)
平均正向电流与
功耗
每一个元素
正向电流I(A )
F
1
06
08
10
12
14
16
18
20
22
马克斯。
特区
单相
三相
正向电压降
(V)
平均正向电流
(A)
允许外壳温度Tc
(℃)
10
10
平均正向电流与
允许外壳温度
60
周期正向电流浪涌额定值
(不重复)
每一个元素
Tj=25℃start
每一个元素
10
10
10
10
10
三相
正向电流浪涌
(A)
50
40
60Hz
50Hz
30
20
10
单相
特区
10
平均正向电流
(A)
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J-
时间
(周期)
瞬态热阻抗
09
5 1
结到外壳
06
每一个元素
03
最大
5 1
时间
t
秒)
5 1
5 1
允许外壳温度
(℃)
总功耗
(W)
总功耗
(W)
20
20
10
10
B2
ID AAV )。
RTH : 0.8C / W
RTH : 0.4C / W
RTH : 0.3C / W
RTH : 0.2C / W
RTH : 0.1C / W
B6
20
B6
ID AAV )。
20
10
10
RTH : 0.8C / W
RTH : 0.4C / W
RTH : 0.3C / W
RTH : 0.2C / W
RTH : 0.1C / W
10
10
10
10
10
7 10 1 5 10
5 0 2
10
10
10
5 7 10 15 10
0 5 0 2 5
6 8
0 0
6 8
0 0
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
允许外壳温度
(℃)
30
输出电流
B;
2两个时脉桥
连接
30
输出电流
B ,脉波桥
6六
连接
二极管模块
DD(KD)30GB40/80
UL ; E76102 M)
功率二极管模块
DD30GB
系列设计用于各种整流电路。
DD30GB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高, 800V
是缴费关于各种输入电压。
26MAX
93.5MAX
80
3
2
+
1
2- 6.5
隔离
安装底座
简单的(单相和三相)桥一包两个元素
连接
高度可靠的玻璃钝化芯片
高浪涌电流能力
(应用程序)
各种整流器,电池充电器,直流马达驱动器
13
~
16.5
23
23
3M5
KD
21
30MAX
DD
单位:A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F AV)
I
F RMS )
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
I
2
t
结温
储存温度
绝缘击穿电压( R.M.S 。 )
MOUNTING
力矩
MOUNTING
(M6)
终奌站
(M5)
A.C.1minute
推荐值2.5-3.9 ( 25-40 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
评级
DD30GB40
400
480
条件
(Tj=25℃
除非另有规定编)
DD30GB80
800
960
评级
30
47
550/600
1500
40
to
+150
40
to
+125
2500
4.7(48)
2.7(28)
170
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
V
N½m
(㎏f½B)
g
单相半波, 180 °
传导,TC : 118 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 118 ℃
1
周期,
2
50/60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 150 ℃
FOWARD电流90A , TJ = 25 ℃ ,研究所。测量
结到外壳
评级
10
1.40
0.80
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C)热阻抗,最大。
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
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最大正向特性
功耗帕乌W)
平均正向电流与
功耗
每一个元素
正向电流I(A )
F
1
06
08
10
12
14
16
18
20
22
马克斯。
特区
单相
三相
正向电压降
(V)
平均正向电流
(A)
允许外壳温度Tc
(℃)
10
10
平均正向电流与
允许外壳温度
60
周期正向电流浪涌额定值
(不重复)
每一个元素
Tj=25℃start
每一个元素
10
10
10
10
10
三相
正向电流浪涌
(A)
50
40
60Hz
50Hz
30
20
10
单相
特区
10
平均正向电流
(A)
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J-
时间
(周期)
瞬态热阻抗
09
5 1
结到外壳
06
每一个元素
03
最大
5 1
时间
t
秒)
5 1
5 1
允许外壳温度
(℃)
总功耗
(W)
总功耗
(W)
20
20
10
10
B2
ID AAV )。
RTH : 0.8C / W
RTH : 0.4C / W
RTH : 0.3C / W
RTH : 0.2C / W
RTH : 0.1C / W
B6
20
B6
ID AAV )。
20
10
10
RTH : 0.8C / W
RTH : 0.4C / W
RTH : 0.3C / W
RTH : 0.2C / W
RTH : 0.1C / W
10
10
10
10
10
7 10 1 5 10
5 0 2
10
10
10
5 7 10 15 10
0 5 0 2 5
6 8
0 0
6 8
0 0
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
允许外壳温度
(℃)
30
输出电流
B;
2两个时脉桥
连接
30
输出电流
B ,脉波桥
6六
连接
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    KD30GB80
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    KD30GB80
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    KD30GB80
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
KD30GB80
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
KD30GB80
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
KD30GB80
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
KD30GB80
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
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电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
KD30GB80
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
KD30GB80
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KD30GB80
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KD30GB80
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
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【dz37.com】实时报价有图&PDF
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
KD30GB80
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
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电话:82571829 29059095 83798256 82786758 82577629
联系人:曾小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路2008号华联发综合楼810-812
KD30GB80
M/A-COM
23+
12556
假一赔十
专业渠道商二十年,原厂原装正品公司现货欢迎咨询订购QQ:1925232495
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