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KSC5367
KSC5367
高电压和高可靠性
高开关速度
宽安全工作区
高集电极 - 基极电压
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN型三重扩散平面硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
*基本电流（脉冲）
功率耗散（TC = 25 ）
结温
储存温度
价值
1600
800
12
3
6
2
4
80
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比Cycle≤10 ％
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
R
θJA
热阻
特征
结到外壳
结到环境
等级
1.56
62.5
单位
° C / W
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
KSC5367
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
= 0
I
C
= 0.5毫安，我
C
= 0
V
CB
= 1,600V ，我
E
= 0
V
EB
= 12V，我
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 0.4A
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 250毫安，我
B
= 25毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 0.2A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CC
= 125V ，我
C
= 0.5A
I
B1
= 42毫安，我
B2
= -333mA
R
L
= 250
V
CC
= 250V ，我
C
= 1A
I
B1
= 0.2A ，我
B2
= -0.4A
R
L
= 250
分钟。
1600
800
12
-
-
12
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
-
-
-
-
0.5
2.2
0.5
0.5
4.0
0.5
马克斯。
-
-
-
20
20
35
-
2.5
4.5
2.5
1.5
V
V
V
V
pF
s
s
s
s
s
s
单位
V
V
V
A
A
V
BE
（SAT）
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
基射极饱和电压
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
KSC5367
典型特征
5
100
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
I
C
[A] ，集电极电流
4
h
FE
，直流电流增益
10
3
I
B
= 1.4A
I
B
= 1.2A
I
B
= 1A
I
B
= 0.8A
I
B
= 0.6A
I
B
= 0.4A
10
2
I
B
= 0.2A
1
1
0
0
2
4
6
8
0.1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
10
I
C
= 10I
B
t
英镑
V
CC
= 250V我
C
=5I
B1
=-2.5I
B1
1
t
ON
[
S] ，T
英镑
[
S] ，T
F
[
S] ，时间
V
BE
（SAT）
1
t
F
t
ON
0.1
V
CE
（SAT）
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.开关时间
10
I
C
[A] ，集电极电流
t
ON
[
S] ，T
英镑
[
S] ，T
F
[
S] ，时间
V
CC
=125V
I
C
=0.5A
I
B1
=42mA
t
英镑
1
10
脉冲
DC
1ms
100
s
1
5ms
t
ON
t
F
0.1
0.1
0.01
0.01
0.01
1E-3
0.1
1
10
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.开关时间
图6.安全工作区
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
KSC5367
典型特征
（续）
10
100
I
B2
=200mA
I
C
[A] ，集电极电流
L=200
H
90
P
C
[W] ，功率耗散
1000
10000
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0.1
0.01
100
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图7.反向偏置安全工作区
图8.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
KSC5367
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位：毫米
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
KSC5367
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 800V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
用于开关稳压器和通用
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
1600
800
12
3
6
2
4
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
CE
(sat)-3
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
条件
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
B
KSC5367
民
1600
800
12
典型值。
最大
单位
V
V
V
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
I
C
= 0.25A ;我
B
= 25毫安
I
C
= 0.5A ;我
B
= 50毫安
I
C
= 1A ;我
B
= 0.2A
B
2.5
4.5
2.5
1.5
20
20
12
8
40
35
V
V
V
V
μA
μA
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
V
CB
= 1600V ;我
E
= 0
V
EB
= 12V ;我
C
=0
I
C
= 0.4A ; V
CE
= 3V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
吨
ts
tf
开启时间
贮存时间
下降时间
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1A ;我
B1
= 0.2A;
I
B2
= -0.4A ; V
CC
= 250V
I
C
= 0.5A ;我
B1
= 42毫安;
I
B2
= -333mA ; V
CC
= 125V
0.5
2.2
0.5
0.5
4.0
0.5
μs
μs
μs
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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K24C040-RER-S
KD30GB80
KMPC860PZQ80D4
K1110BACE
KRC881T
KHAU-11A11B-240
KSC1009CYTA
KBU6A_01
K73-39
KK5104
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    KSC5367
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    KSC5367
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    KSC5367
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯脉实业有限公司
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电话：19166203057
联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
KSC5367
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
深圳市春东电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话：0755-82563615/82563213
联系人：朱先生/王小姐
地址：深圳华强北上步204栋520室
KSC5367
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
深圳市恒佳微电子有限公司
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电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
KSC5367
M/A-COM
19+
15000
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市腾昌芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：0755-28013727
联系人：朱先生
地址：深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
KSC5367
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货，实单可谈！
深圳市宇明芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息
电话：0755-83051566
联系人：李小姐
地址：深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
KSC5367
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
深圳双信达智能科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人：销售部
地址：广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
KSC5367
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000￥/片,普通
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KSC5367
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KSC5367
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
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北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
KSC5367
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
深圳市金启宁科技有限公司
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电话：82571829 29059095 83798256 82786758 82577629
联系人：曾小姐
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路2008号华联发综合楼810-812
KSC5367
M/A-COM
23+
12556
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