初步
KM681002A ， KM681002AI
文档标题
128Kx8高速静态RAM （ 5V工作） ，革命销出去。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.1 。初步删除
更新D.C参数。
2.1 。更新D.C参数
以前的规范。
项
（12 /15/ 17 / 20ns的一部分）
ICC
200/190/180/170mA
ISB
30mA
ISB
1
10mA
数据稿
1995年4月22日
1996年2月29日
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
1996年7月16日
更新规范。
（12 /15/ 17 / 20ns的一部分）
170/165/165/160mA
25mA
8mA
1997年6月2日
最终科幻
修订版3.0
添加工业级温度范围部件和300MIL - SOJ PKG 。
3.1 。加入32引脚300MIL - SOJ包装。
3.2 。添加工业级温度范围的部分用相同的参
TER值作为商业级温度范围的部分。
3.2.1 。添加KM68002AI零部件工业级温度范围。
3.2.2 。添加订购信息。
3.2.3 。添加条件的工业温度运行。范围内。
3.3 。添加测试条件为VOH1用的Vcc = 5V±5％ ，在25 ℃下
3.4 。添加时序图来定义吨
WP
as
“ （定时
电波表
写周期（ CS =控制） “
4.1 。删除部分为17ns
最终科幻
修订版4.0
1998年2月25日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估并在此参数回复您的要求和问题
装置。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
-1-
修订版4.0
Ferruary 1998年
初步
KM681002A ， KM681002AI
128K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间12日， 15日，为20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 25毫安（最大）
（ CMOS ） ： 8毫安（最大）
经营KM681002A - 12 ： 170毫安（最大）
KM681002A - 15 ： 165毫安（最大）
KM681002A - 20 ： 160毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
KM681002AJ ： 32 SOJ -400
KM681002AT ： 32 TSOP2-400F
CMOS SRAM
概述
该KM681002A是1,048,576位高速静态随机
存取记忆体由8位， 131,072字。该
KM681002A使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM681002A打包
在400mil 32引脚塑料SOJ或TSOP2前进。
订购信息
KM681002A -12/15/20
KM681002AI -12/15/20
商业温度。
工业级温度范围。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A
16
31 A
15
30 A
14
29 A
13
28
OE
功能框图
A
1
A
2
A
3
CS
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路
I / O
1
I / O
2
VCC
27 I / O
8
26 I / O
7
SOJ /
TSOP2
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
6
22 I / O
5
21 A
12
20 A
11
19 A
10
18
17
A
9
A
8
行选择
VSS
存储阵列
512行
256x8列
I / O
3
10
I / O
4
11
WE
A
4
A
5
A
6
12
13
14
15
16
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
A
7
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
引脚名称
A
0
- A
16
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
CS
WE
OE
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
-2-
修订版4.0
Ferruary 1998年
初步
KM681002A ， KM681002AI
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
CMOS SRAM
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(
T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
*
V
IL
（最小值） = -2.0V交流（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
12ns
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1
*
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
170
165
160
25
8
0.4
-
3.95
mA
mA
V
V
V
单位
A
A
mA
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
* V
CC
= 5.0V ，温度= 25°C
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-3-
修订版4.0
Ferruary 1998年
初步
KM681002A ， KM681002AI
文档标题
128Kx8高速静态RAM （ 5V工作） ，革命销出去。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.1 。初步删除
更新D.C参数。
2.1 。更新D.C参数
以前的规范。
项
（12 /15/ 17 / 20ns的一部分）
ICC
200/190/180/170mA
ISB
30mA
ISB
1
10mA
数据稿
1995年4月22日
1996年2月29日
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
1996年7月16日
更新规范。
（12 /15/ 17 / 20ns的一部分）
170/165/165/160mA
25mA
8mA
1997年6月2日
最终科幻
修订版3.0
添加工业级温度范围部件和300MIL - SOJ PKG 。
3.1 。加入32引脚300MIL - SOJ包装。
3.2 。添加工业级温度范围的部分用相同的参
TER值作为商业级温度范围的部分。
3.2.1 。添加KM68002AI零部件工业级温度范围。
3.2.2 。添加订购信息。
3.2.3 。添加条件的工业温度运行。范围内。
3.3 。添加测试条件为VOH1用的Vcc = 5V±5％ ，在25 ℃下
3.4 。添加时序图来定义吨
WP
as
“ （定时
电波表
写周期（ CS =控制） “
4.1 。删除部分为17ns
最终科幻
修订版4.0
1998年2月25日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估并在此参数回复您的要求和问题
装置。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
-1-
修订版4.0
Ferruary 1998年
初步
KM681002A ， KM681002AI
128K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间12日， 15日，为20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 25毫安（最大）
（ CMOS ） ： 8毫安（最大）
经营KM681002A - 12 ： 170毫安（最大）
KM681002A - 15 ： 165毫安（最大）
KM681002A - 20 ： 160毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
KM681002AJ ： 32 SOJ -400
KM681002AT ： 32 TSOP2-400F
CMOS SRAM
概述
该KM681002A是1,048,576位高速静态随机
存取记忆体由8位， 131,072字。该
KM681002A使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM681002A打包
在400mil 32引脚塑料SOJ或TSOP2前进。
订购信息
KM681002A -12/15/20
KM681002AI -12/15/20
商业温度。
工业级温度范围。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A
16
31 A
15
30 A
14
29 A
13
28
OE
功能框图
A
1
A
2
A
3
CS
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路
I / O
1
I / O
2
VCC
27 I / O
8
26 I / O
7
SOJ /
TSOP2
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
6
22 I / O
5
21 A
12
20 A
11
19 A
10
18
17
A
9
A
8
行选择
VSS
存储阵列
512行
256x8列
I / O
3
10
I / O
4
11
WE
A
4
A
5
A
6
12
13
14
15
16
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
A
7
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
引脚名称
A
0
- A
16
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
CS
WE
OE
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
-2-
修订版4.0
Ferruary 1998年
初步
KM681002A ， KM681002AI
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
CMOS SRAM
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(
T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
*
V
IL
（最小值） = -2.0V交流（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
12ns
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1
*
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
170
165
160
25
8
0.4
-
3.95
mA
mA
V
V
V
单位
A
A
mA
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
* V
CC
= 5.0V ，温度= 25°C
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-3-
修订版4.0
Ferruary 1998年
