半导体
技术参数
高速开关应用。
特点
高
频率特性
优秀
开关特性。
: f
T
= 500MHz的（最小）（V
CE
= 10V ， F = 100MHz时，我
C
=10mA).
B
KTH2369/A
外延平面NPN晶体管
C
A
N
K
D
E
G
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率（ TA = 25 ℃ ）
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
40
15
4.5
500
625
150
-55½150
单位
V
V
M
H
F
F
V
mA
mW
℃
℃
L
1
2
3
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.集热器
2.基
3.辐射源
TO-92
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
KTH2369/A
KTH2369
直流电流*
收益
KTH2369A
KTH2369
KTH2369A
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
*
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
英镑
t
on
t
关闭
h
FE
符号
I
CBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
测试条件
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0 ，TA = 125 ℃
I
C
=10μ I
E
=0
A,
I
E
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=10μ I
C
=0
A,
I
C
= 10毫安，V
CE
=1.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1.0V ，TA = -55 ℃
I
C
= 10毫安，V
CE
= 0.35V ，TA = -55 ℃
I
C
= 100mA时V
CE
=2.0V
I
C
= 100mA时V
CE
=1.0V
I
C
= 10毫安，我
B
=1.0mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1.0mA
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ， F = 100MHz的
V
CB
= 5.0V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
C
= 100mA时我
B1
=-I
B2
= 10毫安，V
CC
=10V
V
CC
= 3.0V ，我
C
=10mA,
I
B1
= 3.0毫安，我
B2
=-1.5mA
I
C
= 10毫安，我
B1
=3.0mA
I
B2
= -1.5mA ，V
CC
=3.0V
分钟。
-
-
40
15
4.5
40
20
20
20
20
-
0.70
500
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.4
30
-
-
-
120
-
-
-
-
0.25
0.85
-
4.0
13
12
15
nS
V
V
兆赫
pF
V
单位
μ
A
注：*脉冲测试：脉冲宽度≦300μ占空比≦ 2.0 ％
S,
2002. 6. 17
版本号： 2
1/2
