NLAS3899B
双路DPDT低R
ON
低
电容开关
该NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关,专为低
音频功率和双SIM卡应用。在低R
ON
3.0
W
(典型值)是理想的路由音频信号或从适度高
阻抗负载。此外,在低C
ON
20 pF的(典型值)给出了
NLAS3899B高带宽280 MHz的,完美的双SIM卡
应用程序。
特点
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记号
图表
16
1
1
QFN16
CASE 485AE
典型应用
手机扬声器/麦克风开关
铃声 - 芯片/功放开关
双SIM卡数据交换
四个不平衡(单端)开关
重要信息
XX
A
M
L
Y
W
G
=具体设备守则
=大会地点
=日期代码/装配位置
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
ESD保护:
(注:微球可在任一位置)
COMA NOA Vcc的慢性非传染性疾病
16
15
14
13
人体模型( HBM ) 1000 V
所有引脚
人体模型( HBM )
5000 V
I / O至GND
连续额定电流流经各开关
±300
mA
符合:符合JEDEC MO- 220 ,发行H,变化VEED - 6
包装:
1.8× 2.6× 0.75毫米WQFN16无铅
3.0× 3.0× 0.9毫米QFN16无铅
NCA
A- B IN
NOB
梳子
1
2
3
4
5
6
7
NCB GND NOCCOMC
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
2008年7月
第0版
1
出版订单号:
NLAS3899B/D
12
11
10
9
8
1.65 4.3 V V
CC
从锂离子电池直接发挥作用
低导通电阻( 3.0
W
典型的跨V
CC
)
低C
ON
( 20 pF的典型)
带宽280 MHz的
最大击穿电压: 5.5 V
低静态功耗
接口与1.8 V芯片组
这些无铅器件
1
WQFN16
CASE 488AP
1
16
单电源供电
AAMG
G
NLAS
3899
ALYW
COMD
点头
C- D IN
NCC
NLAS3899B
COM
NC
NO
IN
图1.输入等效电路
引脚说明
QFN封装引脚#
1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, 15
2, 10
4, 8, 12, 16
6
14
符号
NO A- D, NC A-D
A- B IN , C- D IN
COM A-D
GND
V
CC
独立通道
控制
公共信道
接地( V)
正电源电压
名称和功能
真值表
IN
H
L
*高阻抗。
NO
ON
关*
NC
关*
ON
工作条件
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IS_CON
I
IS_PK
I
IN
T
英镑
引脚
V
CC
氮氧化物, NCX ,或
COMX
A- B IN , C- D IN
氮氧化物, NCX ,或
COMX
氮氧化物, NCX ,或
COMX
A- B IN , C- D IN
参数
正直流电源电压
模拟信号电压
控制输入电压
模拟信号连续电流
模拟信号峰值电流
控制输入电流
存储温度范围
价值
0.5
至+5.5
0.5
到V
CC
+ 0.5
0.5
5.5
±300
±500
±20
65
150
闭合开关
10 %占空比
条件
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
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2
NLAS3899B
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
IN
T
A
t
r
, t
f
引脚
V
CC
氮氧化物, NCX ,或
COMX
A- B IN , C- D IN
参数
正直流电源电压
模拟信号电压
控制输入电压
工作温度范围
输入信号上升和下降时间
价值
1.65 4.3
GND到V
CC
GND为4.3
40
+85
20
10
V
CC
= 1.6 V
2.7 V
V
CC
= 3.0 V
4.5 V
条件
单位
V
V
V
°C
NS / V
最大值和最小值,通过跨越测试或设计保证
推荐的工作条件,
哪里
适用的。典型值列于仅引导和基于列出的每个部分中,其中所述特定条件
适用的。这些条件下是有效的,在特性表中,除非在试验条件另有规定发现的所有值。
ESD保护
引脚
所有引脚
I / O至GND
描述
人体模型
人体模型
最低电压
1千伏
5千伏
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