NTMFS4935N
功率MOSFET
特点
30 V ， 93 A单N沟道， SO- 8 FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
3.2毫瓦@ 10 V
4.2毫瓦@ 4.5 V
93 A
I
D
最大
应用
CPU电源交付， DC -DC转换器
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
≤
10秒（注1 ）
功耗
R
qJA
≤
10 s
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
I
DMAX
T
J
,
T
英镑
I
S
的dV / D
t
E
AS
价值
30
±20
21.8
13.8
2.63
40
25
8.7
W
W
A
单位
V
V
A
D (5,6)
G (4)
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
13
8.2
0.93
93
59
48
275
100
55
to
+150
44
6
126.1
A
1
记号
图
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
S
S
S
G
4935N
AYWWG
G
D
D
W
A
D
W
A
A
°C
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
A
V / ns的
mJ
设备
NTMFS4935NT1G
NTMFS4935NT3G
包
SO- 8 FL
（无铅）
SO- 8 FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能T
J
= 25 ° C，V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 29 A
pk
， L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第4版
1
出版订单号：
NTMFS4935N/D
NTMFS4935N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.85
0.72
44.4
21.6
22.8
45
nC
ns
1.1
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
11.2
18.7
28.3
12.1
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.65
0.005
1.84
1.1
2.0
nH
nH
nH
W
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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3
