SEMIWELL
半导体
SFD3055L
逻辑N沟道MOSFET
特点
■
低R
DS
（上） （ 0.15Ω ） @V
GS
=10V
低R
DS
（上） （ 0.30Ω ） @V
GS
=4.5V
低栅极电荷（典型6.5nC ）
改进的dv / dt能力
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 150 ° C）
符号
●
2.漏
■
■
■
■
1.门
●
●
▲
3.源
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有低
与出色的开关性能和坚固的栅极电荷
雪崩特性。这是功率MOSFET非常适合
用于同步DC -DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品。
D- PACK （ TO- 252 ）
2
1
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
dv / dt的
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
= 25
°C)
连续漏电流（ @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
A
= 25 °C)
总功率耗散（ @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
30
12
7.7
30
单位
V
A
A
A
V
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
±
20
30
7.0
2.5
42
0.34
- 55 ~ 150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
3
50
单位
° C / W
° C / W
十二月， 2002年修订版0 。
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
1/7
SFD3055L
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
Δ
BV
DSS
/
Δ
T
J
I
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
30
-
-
-
-
-
-
0.027
-
-
-
-
-
-
1
10
100
-100
V
V /°C的
uA
uA
nA
nA
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
击穿电压温度coef-
I
D
= 250uA ，参考25 ℃下
科幻cient
漏极 - 源极漏电流
门源泄漏，正向
栅源泄漏，反向
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V ，T
C
= 125 °C
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10 V，I
D
= 6A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6A
I
GSS
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态电阻
tance
1.0
-
-
-
0.066
0.095
3.0
0.15
0.30
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0 V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
205
95
30
265
120
40
pF
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=24V, V
GS
= 10V ，我
D
=12A
※
参照图12 。
（注4,5）
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 12A ，R
G
=50
※
参见图。 13 。
（注4,5）
4.5
3
12
18
6.5
1.4
1.6
19
16
34
46
8.5
-
-
nC
ns
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 12A ，V
GS
=0V
I
S
=12A,V
GS
=0V,dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
76
44
马克斯。
12
30
1.5
-
-
单元。
A
V
ns
nC
※
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2， L = 200uH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 15V ，R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=
25°C
3. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤
300A / us的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=
25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度。
2/7
SFD3055L
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
2.5
图8.导通电阻变化
- 结温
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 6 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
12
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100
s
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
1
8
10毫秒
DC
6
10
0
4
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
2
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.瞬态热响应曲线
D = 0 .5
Z
θ
JC
热响应
(t),
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
= 3
℃
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
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SEMIWELL
半导体
SFD3055L
逻辑N沟道MOSFET
特点
■
低R
DS
（上） （ 0.15Ω ） @V
GS
=10V
低R
DS
（上） （ 0.30Ω ） @V
GS
=4.5V
低栅极电荷（典型6.5nC ）
改进的dv / dt能力
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 150 ° C）
符号
●
2.漏
■
■
■
■
1.门
●
●
▲
3.源
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有低
与出色的开关性能和坚固的栅极电荷
雪崩特性。这是功率MOSFET非常适合
用于同步DC -DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品。
D- PACK （ TO- 252 ）
2
1
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
dv / dt的
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
= 25
°C)
连续漏电流（ @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
A
= 25 °C)
总功率耗散（ @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
30
12
7.7
30
单位
V
A
A
A
V
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
±
20
30
7.0
2.5
42
0.34
- 55 ~ 150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
3
50
单位
° C / W
° C / W
十二月， 2002年修订版0 。
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
1/7
SFD3055L
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
Δ
BV
DSS
/
Δ
T
J
I
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
30
-
-
-
-
-
-
0.027
-
-
-
-
-
-
1
10
100
-100
V
V /°C的
uA
uA
nA
nA
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
击穿电压温度coef-
I
D
= 250uA ，参考25 ℃下
科幻cient
漏极 - 源极漏电流
门源泄漏，正向
栅源泄漏，反向
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V ，T
C
= 125 °C
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10 V，I
D
= 6A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6A
I
GSS
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态电阻
tance
1.0
-
-
-
0.066
0.095
3.0
0.15
0.30
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0 V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
205
95
30
265
120
40
pF
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=24V, V
GS
= 10V ，我
D
=12A
※
参照图12 。
（注4,5）
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 12A ，R
G
=50
※
参见图。 13 。
（注4,5）
4.5
3
12
18
6.5
1.4
1.6
19
16
34
46
8.5
-
-
nC
ns
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 12A ，V
GS
=0V
I
S
=12A,V
GS
=0V,dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
76
44
马克斯。
12
30
1.5
-
-
单元。
A
V
ns
nC
※
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2， L = 200uH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 15V ，R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=
25°C
3. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤
300A / us的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=
25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度。
2/7
SFD3055L
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
2.5
图8.导通电阻变化
- 结温
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 6 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
12
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100
s
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
1
8
10毫秒
DC
6
10
0
4
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
2
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.瞬态热响应曲线
D = 0 .5
Z
θ
JC
热响应
(t),
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
= 3
℃
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
4/7
