SGU2N60UFD
IGBT
SGU2N60UFD
超快速IGBT
概述
飞兆半导体的UFD系列绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的）提供低传导损耗和开关损耗。
该UFD系列是专为应用，如电机
控制和通用变频器在高速切换
所需的功能。
特点
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.1 V @ I
C
= 1.2A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
=为45nS （ TYP。）
应用
交流&直流电机的控制，一般用途的逆变器，机器人和伺服控制。
C
G
GC ê
I- PAK
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGU2N60UFD
600
±
20
2.4
1.2
10
1.5
12
25
10
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
5.0
5.0
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
SGU2N60UFD牧师A1
