产品说明
Sirenza的Microdevices的SNA - 200是GaAs单片
裸片形式的宽带放大器（ MMIC ） 。 19时50兆赫，这
放大器提供15.5分贝和13.8分贝在6000兆赫。
这些无条件稳定的放大器被设计用作
通用50欧姆增益模块。它的小尺寸（ 0.350米X
0.345毫米）和镀金使其成为一个理想的选择
在混合电路中使用。在SNA -200是100％的直流测试
样品测试了RF性能。
外接DC去耦电容决定低频
反应。使用外部电阻器的允许偏差
灵活性和稳定性。
在SNA -200 ，每百100设备提供凝胶帕克什。
包装形式也可（ SNA -276 & SNA -286 ）
输出功率与频率的关系
14
13
SNA-200S
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可级联50欧姆增益模块
15.5分贝增益， + 12dBm时的P1dB
1.5 ：1的输入和输出VSWR
工作在单电源
经由地面晶圆
应用
宽带驱动放大器
中频放大器或增益级的VSAT ， LMDS ，
WLAN和蜂窝系统
DBM
12
11
10
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
符号
G
p
参数
小信号功率增益[ 2 ]
单位
dB
dB
dB
dB
dB
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
mA
分贝/°C的
° C / W
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
6000兆赫
0.1-4.0 GHz的
1950年兆赫
6000兆赫
1950年兆赫
6000兆赫
1950年兆赫
1950
0.1-7.0 GHz的
分钟。
13.5
12.3
典型值。
15.5
15.0
15.0
13.8
+/- 1.0
7
12.0
12.2
25.0
24.5
5.5
12.9
20
3.6
40
-0.0018
270
马克斯。
16.5
15.3
G
F
增益波动
BW3dB 3dB带宽
P
1dB
OIP
3
NF
RL
ISOL
V
D
I
D
DG /胸苷
R
TH
，J -B
在1dB压缩输出功率[ 2 ]
输出三阶截点[ 2 ]
噪声系数
输入/输出回波损耗
反向隔离
器件工作电压[ 1 ]
器件工作电流[ 1 ]
器件增益温度系数
热阻（结到背面）
10
10.2
22
21.5
3.1
35
4.1
45
V
S
= 8 V
测试条件：
R = 110欧姆
BIAS
I
D
= 40毫安典型。
OIP
3
音间距= 1.2 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
T
L
= 25 ° C，Z
S
= Z
L
= 50欧姆， [1] 100％的直流测试，[2 ]试样测试
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 103300修订版B
初步
SNA - 200S DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
25典型性能
°
C（ VDS = 3.8V ， IDS = 40毫安）
（数据包括连接线）
| S11 |与频率的关系
0
-5
| S21 |与频率的关系
16
15
dB
-10
dB
14
-15
13
-20
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
12
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
-10
-15
| S22 |与频率的关系
0
-5
dB
dB
-10
-15
-20
-25
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
-20
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
噪声系数与频率的关系
8
7.5
7
26
27
TOIP与频率的关系
dB
6.5
6
5.5
5
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
DBM
25
24
23
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
70
mA
6V
+20 dBm的
+
200
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
303南方科技法庭
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 103300修订版B
初步
SNA - 200S DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
应用电路元件值
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
典型应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
参考
代号
C
B
C
D
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
L
C
L
C
推荐偏置电阻值我
D
= 40毫安
R
BIAS
= (V
S
- V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
6V
60
8V
110
10V
160
12V
210
R
BIAS
在RF
C
B
1
4
SNA-200
3
C
B
RF OUT
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
2
GND
通过
模具厚度 - 0.004 [ 0.1 ]
尺寸 - 英寸[毫米]
RFIN
RFOUT
建议合排列
（用于上述S参数数据结构）
MMIC的简化原理图
有关建议的处理，芯片粘接和固定的方法，请参见本应用笔记的
www.sirenza.com 。
AN- 041 （ PDF ）处理未包装的模
产品型号订购信息
产品型号
凝胶包
1 0 0 P CS 。 P·E·R P A CK
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
SNA-200S
模具每Sirenza的应用笔记发货
AN- 039视觉标准无包装模具
303南方科技法庭
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产品说明
Sirenza的Microdevices的SNA - 200是GaAs单片
裸片形式的宽带放大器（ MMIC ） 。 19时50兆赫，这
放大器提供15.5分贝和13.8分贝在6000兆赫。
这些无条件稳定的放大器被设计用作
通用50欧姆增益模块。它的小尺寸（ 0.350米X
0.345毫米）和镀金使其成为一个理想的选择
在混合电路中使用。在SNA -200是100％的直流测试
样品测试了RF性能。
外接DC去耦电容决定低频
反应。使用外部电阻器的允许偏差
灵活性和稳定性。
在SNA -200 ，每百100设备提供凝胶帕克什。
包装形式也可（ SNA -276 & SNA -286 ）
输出功率与频率的关系
14
13
SNA-200S
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可级联50欧姆增益模块
15.5分贝增益， + 12dBm时的P1dB
1.5 ：1的输入和输出VSWR
工作在单电源
经由地面晶圆
应用
宽带驱动放大器
中频放大器或增益级的VSAT ， LMDS ，
WLAN和蜂窝系统
DBM
12
11
10
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
符号
G
p
参数
小信号功率增益[ 2 ]
单位
dB
dB
dB
dB
dB
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
mA
分贝/°C的
° C / W
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
6000兆赫
0.1-4.0 GHz的
1950年兆赫
6000兆赫
1950年兆赫
6000兆赫
1950年兆赫
1950
0.1-7.0 GHz的
分钟。
13.5
12.3
典型值。
15.5
15.0
15.0
13.8
+/- 1.0
7
12.0
12.2
25.0
24.5
5.5
12.9
20
3.6
40
-0.0018
270
马克斯。
16.5
15.3
G
F
增益波动
BW3dB 3dB带宽
P
1dB
OIP
3
NF
RL
ISOL
V
D
I
D
DG /胸苷
R
TH
，J -B
在1dB压缩输出功率[ 2 ]
输出三阶截点[ 2 ]
噪声系数
输入/输出回波损耗
反向隔离
器件工作电压[ 1 ]
器件工作电流[ 1 ]
器件增益温度系数
热阻（结到背面）
10
10.2
22
21.5
3.1
35
4.1
45
V
S
= 8 V
测试条件：
R = 110欧姆
BIAS
I
D
= 40毫安典型。
OIP
3
音间距= 1.2 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
T
L
= 25 ° C，Z
S
= Z
L
= 50欧姆， [1] 100％的直流测试，[2 ]试样测试
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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初步
SNA - 200S DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
25典型性能
°
C（ VDS = 3.8V ， IDS = 40毫安）
（数据包括连接线）
| S11 |与频率的关系
0
-5
| S21 |与频率的关系
16
15
dB
-10
dB
14
-15
13
-20
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
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0.5
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GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
-10
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| S22 |与频率的关系
0
-5
dB
dB
-10
-15
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-25
0.5
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1.5
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8
10
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0.5
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1.5
2
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6
8
10
GHz的
GHz的
噪声系数与频率的关系
8
7.5
7
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TOIP与频率的关系
dB
6.5
6
5.5
5
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
DBM
25
24
23
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
70
mA
6V
+20 dBm的
+
200
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
SNA - 200S DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
应用电路元件值
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
典型应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
参考
代号
C
B
C
D
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
L
C
L
C
推荐偏置电阻值我
D
= 40毫安
R
BIAS
= (V
S
- V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
6V
60
8V
110
10V
160
12V
210
R
BIAS
在RF
C
B
1
4
SNA-200
3
C
B
RF OUT
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
2
GND
通过
模具厚度 - 0.004 [ 0.1 ]
尺寸 - 英寸[毫米]
RFIN
RFOUT
建议合排列
（用于上述S参数数据结构）
MMIC的简化原理图
有关建议的处理，芯片粘接和固定的方法，请参见本应用笔记的
www.sirenza.com 。
AN- 041 （ PDF ）处理未包装的模
产品型号订购信息
产品型号
凝胶包
1 0 0 P CS 。 P·E·R P A CK
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
SNA-200S
模具每Sirenza的应用笔记发货
AN- 039视觉标准无包装模具
303南方科技法庭
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS - 103300修订版B
