VOM617A
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威世半导体
低输入电流，光电晶体管输出， SOP- 4 ，
微型扁平封装
特点
A
C
1
2
4
3
C
E
工作温度 - 55 ℃ + 110℃
SOP- 4微型扁平封装
隔离测试电压， 3750 V
RMS
低饱和电压
快速开关时间
i179089
低耦合电容
描述
在110℃下的额定VOM617A有一个砷化镓红外发光
二极管发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个4针并入
100密耳引线间距miniflat包。它具有很高的电流
转印率，低的耦合电容，和高隔离
电压。
这些耦合装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
最终可堆叠， 0.100"器（2.54 mm ）间距
CTR范围40％到600％ ，余
F
= 5毫安
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
应用
PLC的
电信
照明控制系统
太阳能逆变器
交流驱动器
机构认证
（所有部件都在示范基地VOM617A认证）
UL1577 ，文件号。 E52744
cUL认证测试， CSA 22.2 5A公告
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ） ，可以使用选项1
FIMKO EN 60065和EN 60950-1
CQC GB8898-2011 ， GB4943.1-2001
订购信息
V
O
M
6
1
7
A
-
#
CTR
箱子
X
0
0
1
T
TAPE
和
REEL
SOP-4
产品型号
VDE选项
≥
5
AGENCY
CERTIFIED /
包
UL ， CUL，
FIMKO ， CQC
SOP-4,
迷你平板
VDE ， UL ， CUL，
FIMKO ， CQC
SOP-4,
迷你平板
50至600
63至125
100至200
CTR （ ％ ）
5毫安
160到320
250至500
80至160
130 260
200至400
VOM617AT VOM617A -2T VOM617A -3T VOM617A -4T VOM617A - 6T VOM617A - 7T VOM617A -8T VOM617A -9T
50至600
VOM617A-
X001T
63至125
VOM617A-
2X001T
100至200
VOM617A-
3X001T
160到320
VOM617A-
4X001T
250至500
VOM617A-
6X001T
80至160
VOM617A-
7X001T
130 260
VOM617A-
8X001T
200至400
VOM617A-
9X001T
修订版1.3 ， 11日-12月12
文档编号： 83446
1
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VOM617A
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威世半导体
测试条件
符号
价值
单位
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
直流正向电流
反向电压
功耗
正向电流浪涌
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
结温
焊接温度
(1)
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
j
T
SLD
3750
170
- 55至+ 110
- 55至+ 150
125
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
°C
t
p
≤
1毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
DISS
80
7
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
t
p
≤
10 μs
I
F
V
R
P
DISS
I
FSM
60
6
70
2.5
mA
V
mW
A
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅“组装说明”表面贴装器件（ www.vishay.com/doc?80054 ） 。
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
200
电荷耦合器件
150
100
PHOTOTRANSISTOR
50
红外二极管
0
0
25
50
75
100
125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 总功率耗散与环境温度
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威世半导体
测试条件
I
F
= 5毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 20 V
I
C
= 100 μA
I
E
= 10 μA
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
F = 1 MHz的
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
符号
V
F
I
R
C
j
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
C
IO
V
CESAT
f
CTR
80
7
2.8
0.3
0.12
110
0.4
分钟。
典型值。
1.1
0.01
9
0.3
100
马克斯。
1.6
10
单位
V
μA
pF
nA
V
V
pF
pF
V
千赫
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极电容
耦合器
耦合电容
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
VOM617A
VOM617A-2
VOM617A-3
I
C
/I
F
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V
VOM617A-4
VOM617A-6
VOM617A-7
VOM617A-8
VOM617A-9
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
63
100
160
250
80
130
200
典型值。
马克斯。
600
125
200
320
500
160
260
400
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
非饱和
上升和下降时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
饱和的
上升和下降时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5 V,
R
L
= 1.9 kΩ
t
r
t
f
t
on
t
关闭
7
12
9
15
μs
μs
μs
μs
I
C
= 2毫安， V
CC
= 5 V,
R
L
= 100
Ω
t
r
t
f
t
on
t
关闭
3
3
6
4
μs
μs
μs
μs
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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威世半导体
输入脉冲
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
10 %
输出脉冲
90 %
t
r
t
on
t
f
t
关闭
图。 2 - 测试电路
图。 3 - 测试电路和波形
安全性和绝缘等级
参数
最高安全评级
输出功率安全
输入电流安全
安全温度
漏电起痕指数
绝缘额定参数
最大耐压绝缘电压
最大瞬态电压隔离
最大重复峰值电压隔离
绝缘电阻
绝缘电阻
T
AMB
= 25 ° C，V
DC
= 500 V
T
AMB
= 100℃ ，V
DC
= 500 V
V
ISO
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
3750
6000
565
10
12
10
11
55/110/21
2
≥
5
≥
5
≥
5
≥
0.4
mm
mm
mm
mm
V
RMS
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
P
SO
I
si
T
S
CTI
300
200
150
175
mW
mW
°C
符号
价值
单位
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
环境（按照标准DIN VDE 0109的污染程度）
内部漏电
外部爬电距离
净空
绝缘厚度
记
根据DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ） ， § 7.4.3.8.2 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
14
威世半导体
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
AMB
= 110 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
12
10
8
6
4
2
0
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
1
I
F
= 2毫安
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
F
- 正向电压（ V）
图。 4 - 正向电压与正向电流
V
CE
- 集电极发射极电压（SAT） （V ）
图。 7 - 集电极电流与集电极发射极电压（SAT）
55
N
CTR
- 归一化的中心（非饱和的）
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
I
F
= 1毫安
I
F
= 35毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
F
= 30毫安
I
F
= 25毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
5
6
7
8
9
10
V
CE
- 集电极发射极电压（非SAT ） （V ）
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压（ NS ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 归一化电流传输比（非-SAT ）与
环境温度
10 000
1.2
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
N
CTR
- 归CTR （SAT）
I
F
= 0毫安
1000
I
F
= 5毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
CE
= 40 V
100
10
1
0.1
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
0.01
0.001
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 漏电流与环境温度
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 9 - 归一化电流传输比（SAT）主场迎战
环境温度
修订版1.3 ， 11日-12月12
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