–
TE
VP0120
唯一
- OB
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-200V
ΦMIL
视觉筛选可用
R
DS （ ON）
（最大）
25
I
D（上）
（分钟）
-100mA
订单号码/套餐
TO-92
VP0120N3
DIE
VP0120ND
7
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
特点
■
无二次击穿
■
低功耗驱动要求
■
易于并联的
■
低C
国际空间站
和快速开关速度
■
优良的热稳定性
■
积分源极 - 漏极二极管
■
高输入阻抗和高增益
■
互补N和P沟道器件
9
应用
■
电机控制
■
转换器
■
放大器器
■
开关
■
电源电路
■
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，回忆，
显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
7-223
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
SGD
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
VP0120
热特性
包
TO-92
I
D
（连续） *
-0.1A
I
D
（脉冲的）
-0.35A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
I
DR
*
-0.1A
I
DRM
-0.35A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
-200
-1.5
6.0
-100
-10
-1
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
50
-100
-350
-400
-750
25
15
0.6
70
50
10
5
4
4
4
4
-1.0
500
60
30
10
10
10
10
11
V
ns
I
SD
= -0.5A ，V
GS
= 0V
I
SD
= -0.5A ，V
GS
= 0V
ns
V
DD
= -25V
I
D
= -350mA
R
根
= 25
pF
40
25
%/°C
m
-3.5
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
条件
I
D
= -1.0mA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
I
D
= -1.0mA ，V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -5V ，我
D
= -50mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -100mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -100mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
ETE -
SOL
- OB
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
7-224
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
