W29F102
功能说明
读取模式
该W29F102的读操作是由CE及OE ，这两者都必须是低的受控
主机以获得从输出数据。 CE是用于设备的选择。当CE为高电平时，芯片
被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 OE是输出控制，用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论CE或OE为高电平。
参考定时波形的进一步细节。
引导块操作
有在该设备中的一个8K字引导块，其可被用于存储引导代码。它位于
从0000六角第一8K字的地址范围的内存来1FFF （十六进制） 。
请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置
对于指定的块中的数据不能被擦除或编程（编程闭锁） ;其他
存储单元可以通过常规的编程方法来改变。一旦引导块
编程锁定功能被激活时，芯片擦除功能只会影响主存储器。
为了检测所述引导块的特征是否被设置的8K字块上，用户可以执行
软件命令序列：输入产品识别方式（参见命令代码
识别/引导块锁定检测特定的代码） ，然后从地址"0002读
hex" 。如果输出数据是"FF十六进制， "引导块编程锁定功能被激活;如果
输出数据为"FE十六进制， "锁定功能失活和块可擦除/编程。
返回到正常操作时，执行一个3字节的命令序列（或备用单字
命令）退出的识别模式。对于特定的代码，请参阅命令代码
识别/引导块锁定检测。
芯片擦除操作
该芯片擦除模式可以通过一个6字命令序列来启动。该命令加载后
周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会
在快100毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时
在此操作。如果引导块编程锁定被激活时，只有在主数据
存储器将被擦除到FF （十六进制） ，并且在引导块中的数据将不被擦除（保持相同
芯片擦除操作之前） 。对整个存储器阵列（主存储器和引导块）会
删除十六进制的FF 。通过芯片擦除操作，如果引导块编程锁定功能不
激活。擦除操作后，设备将自动返回到正常读模式
完成。数据轮询和/或翻转位可用于检测擦除周期的结束。
主存储器进行擦除操作
主存储器擦除模式可以通过一个6字命令序列来启动。后
命令装载周期，器件进入内部主存储器的擦除模式，这是
自动定时，将在快100毫秒（典型值）完成。不需要在主机系统
提供此操作过程中的任何控制或定时。该设备将自动返回到正常
擦除操作完成之后读取模式。数据轮询和/或翻转位可用于检测
擦除周期的结束。
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出版日期： 1999年6月
修订版A4
