WMS512K8-XXX
HI-可靠性产品
512Kx8单片SRAM ， SMD 5962-95613
特点
s
访问时间15 ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
s
MIL -STD- 883标准的设备可用
s
革命，中心电源/接地引脚
JEDEC批准
36引线陶瓷SOJ （ 100包）
36铅陶瓷扁平封装（封装226 ）
s
进化，角电源/接地引脚
JEDEC批准
32引脚陶瓷DIP （ 300包）
32引线陶瓷SOJ （ 101包）
32铅陶瓷扁平封装（封装220 ）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
s
32 PIN ，矩形的陶瓷无引线芯片载体
（ 601包）
s
商用，工业和军用温度范围
s
5伏电源
s
低功耗CMOS
s
低功耗数据保持电池备份操作
s
TTL兼容的输入和输出
革命引脚
36 FLAT PACK
36 CSOJ
进化引脚
32 DIP
32 CSOJ （ DE ）
32扁平封装（ FE ） *
32扁平封装（ FD ）
32 CLCC
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
顶视图
A12
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
顶视图
A14
A16
A18
A15
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
A17
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
引脚说明
A
0-18
I / O
0-7
CS
OE
WE
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
*包装不建议用于新设计， "FD"建议用于新设计。
2000年10月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WMS512K8-XXX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
符号
C
IN
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
包
32引脚CSOJ ， DIP ，
扁平封装进化
32引脚CLCC
36引脚CSOJ &扁平封装
革命的
32引脚CSOJ ， DIP ，
扁平封装进化
36引脚CSOJ &扁平封装
革命的
速度快（纳秒）
15至55
15至55
15至35
45至55
15至55
15至35
45至55
最大
20
15
12
20
20
12
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
输出capicitance
C
OUT
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流*
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
条件
民
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安17 - 为35ns ，
I
OL
= 2.1毫安45 - 55ns ，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA 17 - 为35ns ，
I
OH
= -1.0mA 45 - 55ns ，V
CC
= 4.5
2.4
最大
10
10
160
15
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
*不是100 ％的占空比
数据保持特性为低功耗“L ”版
参数
符号
条件
民
数据保持电源电压
低功耗数据保持
低功耗数据保持
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
V
CC
= 2V
2.0
最大
5.5
7
2
V
mA
mA
单位
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
WMS512K8-XXX
AC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
符号
民
15
-15
最大
-17
民
17
15
17
0
15
8
17
9
2
0
8
8
9
9
2
0
0
最大
-20
最小最大
20
20
0
20
10
2
0
10
10
-25
民
25
25
0
25
12
4
0
12
12
最大
民
35
-35
最大
民
45
35
0
35
25
4
0
15
15
-45
最大
-55
民
55
45
0
45
25
4
0
20
20
20
20
55
25
55
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
2
0
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
0
符号
民
15
13
13
8
13
2
0
2
8
0
-15
最大
民
17
14
14
9
14
2
0
2
9
0
-17
最大
20
14
14
10
14
2
0
3
9
0
-20
民
最大
民
25
15
15
10
15
2
0
4
10
0
-25
最大
民
35
25
25
20
25
2
0
4
15
0
-35
最大
45
35
35
25
35
2
5
5
20
0
-45
民
最大
55
50
50
25
40
2
5
5
25
-55
民
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
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WMS512K8-XXX
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ(1)
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1我们控制（ OE = V
IH
)
（ 1 ）设计保证，但未经测试
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4
WMS512K8-XXX
套餐100 ：
36铅，陶瓷SOJ
23.37 (0.920)
±
0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
4.7 （ 0.184 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
±
0.30 (0.012)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.6 （ 0.850 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐101 ：
32铅，陶瓷SOJ
21.1 (0.830)
±
0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
3.96 （ 0.156 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
±
0.30 (0.012)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
19.1 （ 0.750 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
5
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WMS512K8-XXX
HI-可靠性产品
512Kx8单片SRAM ， SMD 5962-95613
特点
s
访问时间15 ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
s
MIL -STD- 883标准的设备可用
s
革命，中心电源/接地引脚
JEDEC批准
36引线陶瓷SOJ （ 100包）
36铅陶瓷扁平封装（封装226 ）
s
进化，角电源/接地引脚
JEDEC批准
32引脚陶瓷DIP （ 300包）
32引线陶瓷SOJ （ 101包）
32铅陶瓷扁平封装（封装220 ）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
s
32 PIN ，矩形的陶瓷无引线芯片载体
（ 601包）
s
商用，工业和军用温度范围
s
5伏电源
s
低功耗CMOS
s
低功耗数据保持电池备份操作
s
TTL兼容的输入和输出
革命引脚
36 FLAT PACK
36 CSOJ
进化引脚
32 DIP
32 CSOJ （ DE ）
32扁平封装（ FE ） *
32扁平封装（ FD ）
32 CLCC
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
顶视图
A12
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
顶视图
A14
A16
A18
A15
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
A17
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
引脚说明
A
0-18
I / O
0-7
CS
OE
WE
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
*包装不建议用于新设计， "FD"建议用于新设计。
2000年10月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WMS512K8-XXX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
符号
C
IN
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
包
32引脚CSOJ ， DIP ，
扁平封装进化
32引脚CLCC
36引脚CSOJ &扁平封装
革命的
32引脚CSOJ ， DIP ，
扁平封装进化
36引脚CSOJ &扁平封装
革命的
速度快（纳秒）
15至55
15至55
15至35
45至55
15至55
15至35
45至55
最大
20
15
12
20
20
12
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
输出capicitance
C
OUT
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流*
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
条件
民
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安17 - 为35ns ，
I
OL
= 2.1毫安45 - 55ns ，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA 17 - 为35ns ，
I
OH
= -1.0mA 45 - 55ns ，V
CC
= 4.5
2.4
最大
10
10
160
15
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
*不是100 ％的占空比
数据保持特性为低功耗“L ”版
参数
符号
条件
民
数据保持电源电压
低功耗数据保持
低功耗数据保持
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
V
CC
= 2V
2.0
最大
5.5
7
2
V
mA
mA
单位
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
WMS512K8-XXX
AC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
符号
民
15
-15
最大
-17
民
17
15
17
0
15
8
17
9
2
0
8
8
9
9
2
0
0
最大
-20
最小最大
20
20
0
20
10
2
0
10
10
-25
民
25
25
0
25
12
4
0
12
12
最大
民
35
-35
最大
民
45
35
0
35
25
4
0
15
15
-45
最大
-55
民
55
45
0
45
25
4
0
20
20
20
20
55
25
55
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
2
0
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
0
符号
民
15
13
13
8
13
2
0
2
8
0
-15
最大
民
17
14
14
9
14
2
0
2
9
0
-17
最大
20
14
14
10
14
2
0
3
9
0
-20
民
最大
民
25
15
15
10
15
2
0
4
10
0
-25
最大
民
35
25
25
20
25
2
0
4
15
0
-35
最大
45
35
35
25
35
2
5
5
20
0
-45
民
最大
55
50
50
25
40
2
5
5
25
-55
民
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WMS512K8-XXX
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ(1)
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1我们控制（ OE = V
IH
)
（ 1 ）设计保证，但未经测试
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
4
WMS512K8-XXX
套餐100 ：
36铅，陶瓷SOJ
23.37 (0.920)
±
0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
4.7 （ 0.184 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
±
0.30 (0.012)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.6 （ 0.850 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐101 ：
32铅，陶瓷SOJ
21.1 (0.830)
±
0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
3.96 （ 0.156 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
±
0.30 (0.012)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
19.1 （ 0.750 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
512Kx8单片SRAM ， SMD 5962-95613
特点
访问时间15 ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
MIL -STD- 883标准的设备可用
革命，中心电源/接地引脚JEDEC
批准
36铅陶瓷SOJ （ 100包）
36铅陶瓷扁平封装（封装226 ）
进化，角电源/接地引脚JEDEC
批准
32引脚陶瓷DIP （ 300包）
32铅陶瓷SOJ （ 101包）
32铅陶瓷Thinpack 扁平封装
（ 321包）
WMS512K8-XXX
32针，矩形陶瓷无引线芯片
载体（套餐601 ）
商业，工业及军事
温度范围
5V电源
低功耗CMOS
低功耗数据保持电池备份
手术
TTL兼容的输入和输出
*本产品如有变更，恕不另行通知。
革命引脚
36 FLAT PACK
36 CSOJ
进化引脚
32 DIP
32 CSOJ （ DE ）
32扁平封装（ FF ）
顶视图
32 CLCC
顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A12
A14
A16
A18
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
V
CC
I/O4
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O0
I/O1
V
CC
V
SS
I/O2
I/O3
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O7
I/O6
V
SS
V
CC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
I/O1
I/O2
I/O3
引脚说明
A0-18
I / O 0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录10
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
I/O5
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
5
29
6
28
7
27
8
26
25
9
10
24
23
11
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
V
SS
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
存储温度范围
信号电压范围为GND
结温
电源电压范围（V
CC
)
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
-0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
X
H
WE＃
X
H
L
H
WMS512K8-XXX
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
Acvive
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （ MIL）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
符号
C
IN
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
包
32引脚CSOJ ， DIP ，扁平封装进化
32引脚CLCC
36引脚CSOJ &扁平封装革命
产量
电容
C
OUT
V
OUT
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
32引脚CSOJ ， DIP ，扁平封装革命
36引脚CSOJ &扁平封装革命
速度快（纳秒）
15至55
15至55
15至35
45至55
15至55
15至35
45至55
最大
20
15
12
20
20
12
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55°C
≤T
A
≤
125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流*
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SS
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5,
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 6毫安17 - 为35ns ，
I
OL
= 2.1毫安45 - 55ns ，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA 17 - 为35ns ，
I
OH
= 1.0毫安45 - 55ns ，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
160
0.45
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
2.4
数据保持特性为低功耗“L ”版
参数
数据保持电源电压
低功耗数据保持
低功耗数据保持
符号
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
条件
CS ＃ V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
V
CC
= 2V
3
民
2.0
最大
5.5
7
2
单位
V
mA
mA
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录10
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
AC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55°C
≤
T
A
< 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
TRC
TAA
TOH
TACS
TOE
tCLZ1
tOLZ1
tCHZ1
tOHZ1
WMS512K8-XXX
-15
民
15
0
15
8
2
0
8
8
2
0
最大
15
0
-17
民
17
最大
17
0
17
9
2
0
9
9
民
20
-20
最大
20
0
20
10
2
0
10
10
民
25
-25
最大
25
0
25
12
4
0
12
12
-35
民
35
最大
35
0
35
25
4
0
15
15
民
45
-45
最大
45
0
45
25
4
0
20
20
民
55
-55
最大
55
55
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
20
AC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
125°C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
符号
TWC
TCW
TAW
TDW
TWP
TAS
TAH
tOW1
tWHZ1
TDH
-15
民
15
13
13
8
13
2
0
2
0
最大
民
17
14
14
9
14
2
0
2
0
-17
最大
民
20
14
14
10
14
2
0
3
0
-20
最大
-25
民
25
15
15
10
15
2
0
4
0
最大
-35
民
35
25
25
20
25
2
0
4
0
最大
-45
民
45
35
35
25
35
2
5
5
0
最大
-55
民
55
50
50
25
40
2
5
5
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
9
9
10
15
20
25
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源供电）
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录10
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
时序波形 - 读周期
WMS512K8-XXX
t
RC
地址
t
AA
t
RC
地址
CS ＃
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
ACS
t
CLZ
OE ＃
t
OE
t
CHZ
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AH
t
AS
WE＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
数据I / O
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
AS
CS ＃
t
CW
t
AH
t
WP
WE＃
t
DW
t
DH
数据I / O
写周期2 ， CS ＃控制
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录10
4
数据有效
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
套餐100 ： 36领先，陶瓷SOJ
23.37 (0.920)
±
0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
WMS512K8-XXX
4.7 （ 0.184 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
±
0.30 (0.012)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.6 （ 0.850 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐101 ： 32领先，陶瓷SOJ
21.1 (0.830)
±
0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
3.96 （ 0.156 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
±
0.30 (0.012)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
1.27 （ 0.050 ） TYP
19.1 （ 0.750 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
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2004年10月
启示录10
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