WMS512K8BV-XXXE
HI-可靠性产品
512Kx8单片SRAM
特点
■
访问时间15 ， 17 ， 20ns的
■
革命，中心电源/接地引脚
JEDEC批准
36引线陶瓷SOJ （ 100包）
36铅陶瓷扁平封装（封装226 ）
■
进化，角电源/接地引脚
JEDEC批准
32引脚陶瓷DIP （ 300包）
32引线陶瓷SOJ （ 101包）
32铅陶瓷扁平封装（封装220 ）
■
低电压工作：
?? 3.3V ± 10 ％电源
■
BiCMOS工艺：
耐辐射与外延层模
■
商用和工业温度范围
■
TTL兼容的输入和输出
■
全静态操作：
■
三态输出
??无时钟或刷新必需的。
D
E
S
N N
ê IG
M传
DE
C
E
R W
牛逼NE
O
n个R
O
F
革命引脚
36 FL AT PACK
36 C S 0
进化引脚
32 D I P
32 CSOJ （ DE ）
32 FL AT PACK （ FE ）
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
针
描述
A
0-18
CS
OE
WE
V
CC
GND
地址输入
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
I / O
0-7
数据输入/输出
1999年12月第3版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WMS512K8BV-XXXE
绝对
参数
最大
符号
评级
民
最大
单位
CS
OE
WE
真相
模式
表
数据I / O
动力
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-40
-65
-0.5
+5
8
+150
4.6
150
°C
°C
V
°C
V
H
L
L
L
X
L
X
H
X
H
L
H
待机
读
写
输出禁用
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
待机
活跃
活跃
活跃
-0.5
4.6
电容
推荐
参数
操作
民
条件
最大
单位
参数
(T
A
=+25°C)
符号
条件
最大单位
符号
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
3.0
2.2
-0.3
-40
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
+5
8
V
V
V
°C
输入电容
输出电容
C
IN
C
OUT
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
12
12
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC
参数
符号
特征
条件
单位
(V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
民
最大
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4.0mA
2.4
10
10
120
15
0.4
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
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2
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AC
特征
(V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
读周期
符号
民
-15
最大
民
-17
最大
民
-20
最大
单位
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
15
15
0
15
7
2
0
7
7
17
17
0
17
8
2
0
8
8
20
20
0
20
10
2
0
10
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
此参数由设计保证，但未经测试。
AC
参数
写周期
符号
特征
-15
民
最大
民
-17
最大
民
-20
最大
单位
(V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
1.
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
15
10
10
8
12
0
0
2
8
0
17
12
12
9
14
0
0
3
8
0
20
14
14
10
14
0
0
3
9
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
此参数由设计保证，但未经测试。
AC
TEST
电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
典型值
单位
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
V
IL
= 0, V
IH
= 2.5
5
1.5
1.5
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75 ½.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
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WMS512K8BV-XXXE
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
AS
t
AW
t
CW
t
AH
CS
t
WP
WE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS控
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4
WMS512K8BV-XXXE
套餐100 ：
36铅，陶瓷SOJ
23.37 (0.920)
±
0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
4.7 （ 0.184 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
±
0.30 (0.012)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.6 （ 0.850 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐101 ：
32铅，陶瓷SOJ
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
5
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怀特电子设计
512Kx8单片SRAM
特点
访问时间15 ， 17 ， 20ns的
革命，中心电源/接地引脚JEDEC批准
36引线陶瓷SOJ （ 100包）
36铅陶瓷扁平封装（封装226 ）
进化，角电源/接地引脚JEDEC批准
32引脚陶瓷DIP （ 300包）
32引线陶瓷SOJ （ 101包）
32铅陶瓷扁平封装（封装220 ）
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低电压工作：
?? 3.3V ± 10 ％电源
BiCMOS工艺：
耐辐射与外延层模
商用和工业温度范围
TTL兼容的输入和输出
全静态操作：
??无时钟或刷新必需的。
三态输出
本产品如有更改，恕不另行通知。
革命引脚
36 FLAT PACK
36 CSOJ
进化引脚
32 DIP
32 CSOJ （ DE ）
32扁平封装（ FE ）
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
顶视图
NC
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
1999年12月
第3版
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压范围为GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-40
-65
-0.5
-0.5
最大
+85
+150
4.6
150
4.6
单位
°C
°C
V
°C
V
CS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
X
H
WMS512K8BV-XXXE
真值表
WE＃
X
H
L
H
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
Acvive
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
3.0
2.2
-0.3
-40
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
+85
单位
V
V
V
°C
参数
输入电容
输出电容
电容
T
A
= +25°C
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
OUT
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
12
12
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -40°C
≤T
A
≤
85°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4.0mA
民
最大
10
10
120
15
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
2.4
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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怀特电子设计
AC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -40°C
≤
T
A
＆ LT ; 85°C
参数读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
-15
民
15
0
15
7
2
0
7
7
2
0
8
8
最大
15
0
17
8
民
17
-17
WMS512K8BV-XXXE
-20
最大
17
0
20
10
2
0
10
10
民
20
最大
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -40°C
≤
T
A
＆ LT ; 85°C
参数写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
-15
民
15
10
10
8
12
0
0
2
0
最大
民
17
12
12
9
14
0
0
3
0
-17
最大
民
20
14
14
10
14
0
0
3
0
-20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
8
9
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源供电）
I
OL
电流源
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 2.5
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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怀特电子设计
时序波形 - 读周期
WMS512K8BV-XXXE
t
RC
地址
t
AA
t
RC
地址
CS ＃
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
ACS
t
CLZ
OE ＃
t
OE
t
CHZ
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AH
t
AS
WE＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
数据I / O
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
AS
CS ＃
t
CW
t
AH
t
WP
WE＃
t
DW
t
DH
数据I / O
写周期2 ， CS ＃控制
数据有效
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套餐100 ： 36领先，陶瓷SOJ
23.37 (0.920) 0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
0.05 (0.002)
4.7 （ 0.184 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.23 (0.442)
0.30 (0.012)
9.55 (0.376) 0.25 (0.010)
1.27 (0.050) 0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.6 （ 0.850 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐101 ： 32领先，陶瓷SOJ
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
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