WSE128K16-XXX
128K
X
16 SRAM / EEPROM模块
特点
s
为35ns （ SRAM ），并为150ns的访问时间（ EEPROM ）
s
为45nS （ SRAM）和120ns的访问时间（ EEPROM ）
s
为70ns （ SRAM）和300ns的访问时间（ EEPROM ）
s
包装
66针， PGA类型， 1.075"方HIP ，密封陶瓷
HIP （ H1 ） （ 400包）
68引线，密封CQFP （ G2T ） ， 22毫米（ 0.880" ）方
（ 509包） 。旨在满足JEDEC 68领先0.990" CQFJ
足迹（图2）
s
128Kx16 SRAM
s
128Kx16 EEPROM
s
组织为SRAM的128Kx16和EEPROM的128Kx16
内存有独立的数据总线
s
内存这两个模块是用户可配置为256Kx8
s
低功耗CMOS
s
商用，工业和军用温度范围
初步*
s
TTL兼容的输入和输出
s
内置的去耦电容和地面多销
低噪音运行
s
重量 - 13克典型
EEPROM内存功能
s
擦写次数10,000次
s
在25℃下数据保存10年
s
低功耗CMOS操作
s
自动页写操作
s
页写周期时间10ms最大。
s
数据轮询写入检测结束
s
硬件和软件数据保护
s
TTL兼容的输入和输出
*此数据表描述了正在研发的产品，不能完全
特点，并随时更改，恕不另行通知。
FIG.1
1
SD
8
SD
9
SD
10
A
13
A
14
A
15
A
16
NC
SD
0
SD
1
SD
2
11
引脚配置WSE128K16 ， XH1X
引脚说明
顶视图
12
SWE
2
SCS
2
GND
SD
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
SCS
1
NC
SD
3
22
33
23
SD
15
SD
14
SD
13
SD
12
OE
NC
SWE
1
SD
7
SD
6
SD
5
SD
4
ED
8
ED
9
ED
10
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
ED
0
ED
1
ED
2
44
34
V
CC
ECS
2
EWE
2
ED
11
A
3
A
4
A
5
EWE
1
ECS
1
GND
ED
3
55
45
ED
15
ED
14
ED
13
ED
12
A
0
A
1
A
2
ED
7
ED
6
ED
5
ED
4
66
8
8
8
8
ED
0-15
56
EEPROM的数据输入/输出
SRAM的数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
EEPROM写使能
EEPROM芯片选择
SD
0-15
A
0-16
SWE
1-2
SCS
1-2
OE
V
CC
GND
NC
EWE
1-2
ECS
1-2
框图
S宽E
1
S CS
1
OE
A
0
-
16
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
128K ×8
EEPROM
128K ×8
EEPROM
S宽E
2
S CS
2
宽E
1
ê CS
1
宽E
2
ê CS
2
SD
0-7
SD
8-15
ED
0-7
ED
8-15
2001年5月，第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WSE128K16-XXX
图。 2
引脚配置WSE128K16 ， XG2TX
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
ECS
1
GND
ECS
2
SWE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
ED
0-15
SD
0-15
ED
0
ED
1
ED
2
ED
3
ED
4
ED
5
ED
6
ED
7
GND
ED
8
ED
9
ED
10
ED
11
ED
12
ED
13
ED
14
ED
15
EEPROM的数据输入/输出
SRAM的数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
EEPROM写使能
EEPROM芯片选择
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
SD
0
SD
1
SD
2
SD
3
SD
4
SD
5
SD
6
SD
7
GND
SD
8
SD
9
SD
10
SD
11
SD
12
SD
13
SD
14
SD
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
16
SCS
1
OE
SCS
2
NC
SWE
2
EWE
1
EWE
2
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
A
15
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
NC
NC
NC
A
0-16
SWE
1-2
SCS
1-2
OE
0.940"
V
CC
该WEDC 68领先G2T CQFP
科幻LLS相同的网络连接T和功能
JEDEC的68引线CQFJ或68
PLCC 。但G2T有TCE
铅检测的优势
的CQFP形式。
GND
NC
EWE
1-2
ECS
1-2
框图
S宽E
1
S CS
1
OE
A
0
-
16
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
128K ×8
EEPROM
128K ×8
EEPROM
S宽E
2
S CS
2
宽E
1
ê CS
1
宽E
2
ê CS
2
8
8
8
8
SD
0-7
SD
8-15
ED
0-7
ED
8-15
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
WSE128K16-XXX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.0
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
EEPROM真值表
电容
(T
A
= +25°C)
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G2T
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
SCS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
最大
50
单位
pF
pF
CS
H
L
L
X
X
X
OE
X
L
H
H
X
L
WE
X
H
L
X
H
X
模式
待机
读
写
输出禁用
写
抑制
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z /数据输出
SRAM真值表
SWE
X
H
H
L
模式
待机
读
读
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×16模式
待机电流
SRAM输出低电压
（35到为45nS ）
(70ns)
（35到为45nS ）
(70ns)
符号
I
LI
I
LO
I
CCx16
I
SB
V
OL
V
OL
V
OH
V
OH
I
CC1
V
OL
V
OH1
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
SCS = V
IL
， OE =精英= V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5
ECS = SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 4.5
ECS = V
IL
， OE = SCS = V
IH
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OH
= 400
A,
V
CC
= 4.5V
2.4
2.4
2.4
155
0.45
民
最大
10
10
360
31.2
0.4
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
V
V
mA
V
V
SRAM输出高电压
EEPROM的工作电源电流×16模式
EEPROM输出低电压
EEPROM输出高电压
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WSE128K16-XXX
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
1
符号
民
35
-35
最大
民
45
35
0
35
20
3
0
20
20
3
0
0
-45
最大
民
70
45
3
45
25
3
0
20
20
-70
最大
单位
ns
70
70
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
25
ns
ns
1
1
t
OHZ
1
1.此参数由设计保证，但未经测试。
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
符号
民
35
25
25
20
25
0
0
4
-35
最大
民
45
30
30
25
30
0
0
4
20
0
0
-45
最大
民
70
60
60
30
50
5
5
5
25
0
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
ns
ns
t
WHZ
1
t
DH
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图。 3
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
4
WSE128K16-XXX
图。 4
SRAM读周期
t
RC
地址
t
AA
SCS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
国有企业
t
CHZ
t
AA
t
OH
SRAM
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
SRAM
数据I / O
t
OE
t
OLZ
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 ， （ SCS = OE = V
IL
， SWE = V
IH
)
读周期2 （ SWE = V
IH
)
图。五
SRAM写周期
SWE控
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS
t
AH
t
AS
SWE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
SRAM
数据I / O
数据有效
写周期1 ， SWE控
图。 6
SRAM写周期
SCS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
CW
t
AH
t
AS
SCS
t
AW
t
WP
SWE
t
DW
SRAM
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， SCS控
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
128Kx16 SRAM / EEPROM模块
特点
为35ns （ SRAM ），并为150ns的访问时间（ EEPROM ）
为45nS （ SRAM）和120ns的访问时间（ EEPROM ）
为70ns （ SRAM）和300ns的访问时间（ EEPROM ）
包装
66针， PGA型， 1.075 ＆ QUOT ;方HIP ，密封
陶瓷HIP （ H1 ） （ 400包）
68引线，密封CQFP （ G2T ） ， 22毫米（ 0.880" ）
正方形（ 509包） 。专为科幻吨JEDEC 68
导致0.990" CQFJ足迹（图2）
128Kx16 SRAM
128Kx16 EEPROM
组织为SRAM和128Kx16的128Kx16
EEPROM存储器具有独立的数据总线
内存这两个模块是用户体质连接可配置为
256Kx8
低功耗CMOS
WSE128K16-XXX
初步*
商用，工业和军用温度
范围
TTL兼容的输入和输出
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量 - 13克典型
EEPROM内存功能
擦写次数10,000次
在25℃下数据保存10年
低功耗CMOS操作
自动页写操作
页写周期时间10ms最大。
数据轮询写入检测结束
硬件和软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
图1 - WSE128K16 - XH1X PIN
CON组fi guration
顶视图
1
SD
8
SD
9
SD
10
A
13
A
14
A
15
A
16
NC
SD
0
SD
1
SD
2
11
22
12
SWE
2
#
SCS
2
#
GND
SD
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
SCS
1
#
NC
SD
3
33
23
SD
15
SD
14
SD
13
SD
12
OE ＃
NC
SWE ＃
1
SD
7
SD
6
SD
5
SD
4
ED
8
ED
9
ED
10
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
ED
0
ED
1
ED
2
44
34
V
CC
ECS
2
#
EWE
2
#
ED
11
A
3
A
4
A
5
EWE
1
#
ECS
1
#
GND
ED
3
55
45
ED
15
ED
14
ED
13
ED
12
A
0
A
1
A
2
ED
7
ED
6
ED
5
ED
5
66
56
引脚说明
ED
0-15
SD
0-15
A
0-16
SWE ＃
1-2
SCS ＃
1-2
OE ＃
V
CC
GND
NC
EWE ＃
1-2
ECS ＃
1-2
EEPROM的数据输入/输出
SRAM的数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
EEPROM写使能
EEPROM芯片选择
框图
SWE
1
＃ SCS
1
#
OE ＃
A
0-16
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
128K ×8
EEPROM
128K ×8
EEPROM
SWE
2
＃ SCS
2
#
EWE
1
＃ ECS
1
#
EWE
2
＃ ECS
2
#
8
8
8
8
SD
0 - 7
SD
8 - 1 5
ED
0 - 7
ED
8 - 1 5
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年3月
第3版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
图2 WSE128K16 - XG2TX引脚配置
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
ECS
1
#
GND
ECS
2
#
SWE
1
#
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
WSE128K16-XXX
初步
引脚说明
ED
0-15
SD
0-15
A
0-16
SWE ＃
1-2
SCS ＃
1-2
OE ＃
V
CC
GND
NC
EWE ＃
1-2
ECS ＃
1-2
EEPROM的数据输入/输出
SRAM的数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
EEPROM写使能
EEPROM芯片选择
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
SD
0
SD
1
SD
2
SD
3
SD
4
SD
5
SD
6
SD
7
GND
SD
8
SD
9
SD
10
SD
11
SD
12
SD
13
SD
14
SD
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
16
SCS
1
#
OE ＃
SCS
2
#
NC
SWE
2
#
EWE
1
#
EWE
2
#
NC
NC
NC
A
12
A
13
A
14
V
CC
A
15
A
11
ED
0
ED
1
ED
2
ED
3
ED
4
ED
5
ED
6
ED
7
GND
ED
8
ED
9
ED
10
ED
11
ED
12
ED
13
ED
14
ED
15
OE ＃
A
0-16
框图
SWE
1
＃ SCS
1
#
SWE
2
＃ SCS
2
#
EWE
1
＃ ECS
1
#
EWE
2
＃ ECS
2
#
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
128K ×8
EEPROM
128K ×8
EEPROM
8
8
8
8
SD
0 - 7
SD
8 - 1 5
ED
0 - 7
ED
8 - 1 5
0.940"
该WEDC 68领先G2T CQFP网络LLS相同的网络连接吨，
函数作为JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。但
该G2T有TCE和铅检测的优势
的CQFP形式。
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
WSE128K16-XXX
初步
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.0
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
EEPROM真值表
电容
T
A
= +25°C
参数
OE ＃电容
WE＃
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G2T
CS ＃
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号条件
C
OE
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
50 pF的
20
20
20
20
50
pF
pF
pF
pF
CS ＃
H
L
L
X
X
X
OE ＃
X
L
H
H
X
L
WE＃
X
H
L
X
H
X
模式
待机
读
写
输出禁用
写
抑制
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z /数据输出
SRAM真值表
SCS ＃ OE ＃ SWE ＃
H
X
X
L
L
H
L
H
H
模式
待机
读
读
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
动力
待机
活跃
活跃
此参数由设计保证，但未经测试。
L
X
L
写
DATA IN
活跃
DC特性
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×16模式
待机电流
（35到为45nS ）
SRAM输出低电压
(70ns)
（35到为45nS ）
SRAM输出高电压
(70ns)
EEPROM的工作电源电流×16模式
EEPROM输出低电压
EEPROM输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
x16
ISB
V
OL
V
OL
V
OH
V
OH
I
CC1
V
OL
V
OH1
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = ECS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
ECS ＃ = SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 4.5
ECS ＃ = V
IL
， OE ＃ = SCS ＃ = V
IH
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OH
= 400 μA ，V
CC
= 4.5V
民
最大
10
10
360
31.2
0.4
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
V
V
mA
V
V
2.4
2.4
155
0.45
2.4
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.此参数由设计保证，但未经测试。
WSE128K16-XXX
初步
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ1
t
OLZ1
t
CHZ1
t
OHZ1
-35
民
35
35
0
35
20
3
0
20
20
3
0
0
最大
民
45
-45
最大
45
5
45
25
5
5
20
20
民
70
-70
最大
70
70
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
25
SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW1
t
WHZ1
t
DH
-35
民
35
25
25
20
25
0
0
4
0
最大
民
45
30
30
25
30
0
0
4
0
-45
最大
民
70
60
60
30
50
5
5
5
0
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
25
25
图3 - AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈ 1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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图4 - SRAM读周期
WSE128K16-XXX
初步
t
RC
地址
t
RC
地址
t
AA
t
OH
SRAM
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
SOE ＃
SRAM
数据I / O
SCS ＃
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
高阻抗
t
CHZ
t
OHZ
数据有效
读周期1 ， （ SCS ＃ = OE ＃ = V
IL
， SWE ＃ = V
IH
)
阅读CYCEL 2 ， （ SWE ＃ = V
IH
)
图5 - SRAM写周期SWE ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS ＃
t
AH
t
AS
SWE ＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据有效
SRAM
数据I / O
写周期1 ， SWE ＃控制
图6 - SRAM写CYCEL SCS ＃控制
t
WC
地址
t
AS
SCS ＃
t
WP
SWE ＃
t
DW
SRAM
数据I / O
t
DH
t
AW
t
CW
t
AH
数据有效
写周期2 ， SCS ＃控制
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