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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第115页 > ZTX758
PNP硅平面中功率
高压晶体管
第1期？四月94
特点
* 400伏V
首席执行官
* 0.5安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX758
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
-400
-400
-5
-1
-500
1
5.7
-55到+200
单位
V
V
V
A
mA
W
毫瓦/°C的
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
-100
-100
-100
-0.30
-0.25
-0.50
-0.9
-0.9
50
50
40
3-267
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-320V
V
CE
=-320V
V
EB
=-4V
I
C
= -20mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
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I
C
= -100mA ，我
B
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I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
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CE
=-5V*
I
C
= -1mA ，V
CE
=-5V
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -200mA ，V
CE
=-10V*
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极截止
当前
-400
-400
-5
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
静态正向电流
FE
传输比
ZTX758
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
过渡
频率
输出电容
开关时间
符号最小值。
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
140
2000
50
20
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= -20mA ，V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -100mA ，V
C
=-100V
I
B1
= 10毫安，我
B2
=-20mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号（j -情况下）
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
2.5
200
最大功率耗散 - （瓦特）
热阻（ ° C / W）
D = 1 （直流）
2.0
t
1
D =吨
1
/t
P
t
P
C
1.5
as
e
te
m
pe
1.0
Am
ra
100
D=0.5
BIE
tu
NT吨
re
em
0.5
0
每
在ü
re
D=0.2
D=0.1
单脉冲
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-268
ZTX758
典型特征
1.6
1.4
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=50
T
AMB
=25°C
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
V
CE （ SAT ）
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
V
CE （ SAT ）
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
h
FE
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
h
FE
- 典型增益
V
BE （ SAT ）
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
200
100
0.01
0.1
1
10 20
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
1.0
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
V
CE
=10V
1.6
1.4
I
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BE
- （伏）
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1.0
0.8
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0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
0.01
0.001
1
10
100
1000
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-269
PNP硅平面中功率
高压晶体管
第1期？四月94
特点
* 400伏V
首席执行官
* 0.5安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX758
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
-400
-400
-5
-1
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1
5.7
-55到+200
单位
V
V
V
A
mA
W
毫瓦/°C的
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
-100
-100
-100
-0.30
-0.25
-0.50
-0.9
-0.9
50
50
40
3-267
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-320V
V
CE
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EB
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I
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= -50mA ，我
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I
C
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CE
=-5V*
I
C
= -200mA ，V
CE
=-10V*
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极截止
当前
-400
-400
-5
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
静态正向电流
FE
传输比
ZTX758
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
过渡
频率
输出电容
开关时间
符号最小值。
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
140
2000
50
20
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= -20mA ，V
CE
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f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -100mA ，V
C
=-100V
I
B1
= 10毫安，我
B2
=-20mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号（j -情况下）
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
2.5
200
最大功率耗散 - （瓦特）
热阻（ ° C / W）
D = 1 （直流）
2.0
t
1
D =吨
1
/t
P
t
P
C
1.5
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e
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m
pe
1.0
Am
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100
D=0.5
BIE
tu
NT吨
re
em
0.5
0
每
在ü
re
D=0.2
D=0.1
单脉冲
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-268
ZTX758
典型特征
1.6
1.4
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
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=50
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AMB
=25°C
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
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- （伏）
1.2
1.0
0.8
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0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
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CE （ SAT ）
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
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0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
h
FE
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
+100°C
+25°C
-55°C
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CE
=10V
300
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
h
FE
- 典型增益
V
BE （ SAT ）
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
200
100
0.01
0.1
1
10 20
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
1.0
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
BE （ SAT ）
V I
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在T单脉冲测试
AMB
=25°C
V
CE
=10V
1.6
1.4
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
0.01
0.001
1
10
100
1000
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-269
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Z84C30-4PS
ZPSD312-B-90LI
Z80B-CTC
Z-15GQ21A55-B5V
ZL50020GAC
Z8S18010FEC
ZAPD-4
ZTS220-Y
Z8F3221VN020SC
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    ZTX758
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    ZTX758
    -
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    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    ZTX758
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
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电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
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ZETEX
2019
17500
TO92S
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人：朱小姐 刘小姐
地址：深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
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18+
12000
TO-92S
全新原装现货
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电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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Ｄｉｏｄｅｓ
22+
9036
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
深圳市芯脉实业有限公司
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电话：0755-84507690
联系人：马先生
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DIODES
新年份
5980
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新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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联系人：杨
地址：福田区华富路航都大厦17G
ZTX758
DIODES/美台
22+
100000
原装正品，仓库现货
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZTX758
DIODES
22+
20523
TO-92
全新原装正品/质量有保证
深圳市祺雅电子科技有限公司
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电话：13428921985
联系人：张小姐
地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦三栋三单元608
ZTX758
DIODES/美台
22+
27000
EP3SC
一级代理，全新原装正品，公司现货！
北京全友伟业科技有限公司（销售三部）
QQ： 点击这里给我发消息
电话：010-86227918、86227478、86227918、86227478
联系人：销售部（可以开17%增票)
地址：★★★★★北京市海淀区上地十街辉煌国际大厦4号楼B座16室
ZTX758
-
22+
5000
NA
市场最低！原装有货！价格好！
深圳市永拓丰科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：13724303526
联系人：李先生
地址：深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋510室
ZTX758
DIODES
22+
20000
N/A
只做原装正品，可开专票
深圳市柏深电子科技有限公司
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电话：19376732445
联系人：张生
地址：深圳市福田区赛格科技园
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