晶体管 STD70N10F4 半导体产品

晶体管 STD70N10F4 半导体产品属性

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晶体管 STD70N10F4 半导体产品描述

STD70N10F4介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 125W（Tc） DPAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 DeepGATE™，STripFET™

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 85nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5800pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 125W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。



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