晶体管 MMBT4401LT1G 半导体产品

晶体管 MMBT4401LT1G 半导体产品属性

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晶体管 MMBT4401LT1G 半导体产品描述

MMBT4401LT1G介绍：
描述 TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
制造商标准提前期 50 周
详细描述 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 250MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值） -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，1V
功率 - 最大值 300mW
频率 - 跃迁 250MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
基本零件编号 MMBT4401
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晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

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