晶体管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET

晶体管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET属性

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晶体管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET描述

SUD50P04-08-GE3介绍：

描述 MOSFET P-CH 40V 50A DPAK

详细描述 表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 2.5W（Ta），73.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.1 毫欧 @ 22A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 159nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5380pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），73.5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。



威世接下来的半导体公司收购发生在2001年，购买了英飞凌科技(Infineon Technologies)公司的红外线元件业务。跟着在2001年收购了全球二极管和整理器领先的制造商通用半导体(General Semiconductor)。

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