晶体管 FDS6612A MOSFET

晶体管 FDS6612A MOSFET属性

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晶体管 FDS6612A MOSFET描述

FDS6612A介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 8.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7.6nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

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