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IRF530NPBF

IRF530NPBF产品图片
  • 发布时间:2020/2/26 14:59:22
  • 所属类别:三极管 » 其他三极管
  • 公    司:深圳市兴科泰科技有限公司

IRF530NPBF属性

  • TO-220
  • IR

IRF530NPBF描述

IRF530N 原装IR正品现货N沟道MOS管
IRF530N封装to-220
详细参数如下:
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 70W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
联系我们:
深圳市兴科泰科技有限公司
联系人:徐先生/曾小姐/胡小姐
电话:0755-83035330
传真:(86)0755—83035361
邮件:iris_88888@163.com  / mikexu_1113@163.com 
 xingke168@163.com
QQ:1851627772 / 305034673 / 394131999 /985947802
兴科泰科技公司分销多种国际知名品牌系列电子元器件如:FAIRCHILD、TOSHIBA、ST、IR、TI、ON、PHILIPS(NXP)、
INFINEON、IXYS、APT、VISHAY、FUJI、NIEC、SANYO、SANKEN、RENESAS、SAMSUNG、ATMEL、MAXIM、
DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC、SEP等。
优势产品线:MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。


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