TIP-41C
TIP-41C属性
- TO-220
- ON
TIP-41C描述
TIP41C品牌ON(仙童)
TIP41C封装TO-220
TIP41C细节照片如下:
TIP41C 详细参数如下:
规格
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 6A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值) 700µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 15 @ 3A,4V
功率 - 最大值 65W
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
更多ON安森美现货型号:
TIP31ONTO-220AB
UC2845BDONSOP
MBR1620CTONTO-220
MBR20100CTGONTO-220
MBR2045CTGONTO-220
MBR20T100CTONTO-220
MBR3045ONTO-3P
MC79M12CTONTO-220
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MJ11016GONTO-3
MJ15003GONTO-3
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MUR1660CTRG ONTO-220
MUR3020PTGONTO-218AC
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MUR8100ONTO-220
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BDV65BONTO-3P
BUD42DONTO-251
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宝马的发言人表示,戴姆勒不是在中国建立这个平台的合作伙伴关系的一部分。不过,这位发言人也表示,不排除未来使用该平台为宝马与戴姆勒合作开发自动驾驶技术的可能性。
PI薄膜属于高技术壁垒行业,目前国内市场PI薄膜需求快速增长,潜力巨大,但国内PI薄膜生产厂家的产品大多用于电学绝缘,高端电子级PI严重依赖进口,处于供不应求的状态。PI合成难度极高、下游产品加工难度较大。在单体TIP41C合成方面,尽管有相应的单体商品化,但成本非常昂贵,例如六氟二酐每千克达上万元;在聚合方法上,目前所用的二步法和一步法均使用高沸点的溶剂,价格高且后期难处理;在生产工艺上TIP41C,浸渍法、双轴拉伸法生产成本高,流延法成本相对低但TIP41C污染性大。 PI在世界范围内呈寡头垄断局面,技术封锁严密,全球产能主要由国外少数企业所垄断。PI的研发和核心技术主要集中在国外,例如美国的杜邦公司,日本的宇部兴产、钟渊化学、东丽集团、三井东亚,韩国的科隆、SKC公司等。其中杜邦、东丽、钟渊和宇部4家企业占全TIP41C球PI市场销售总额的70%左右。国内对PI的研究起步较晚,始于1962年,经过不懈的努力,已经开发出联苯型、均苯型、酮酐型、可溶性、无色透明性等多种PI品种。国TIP41C内的研发及关键技术主要集中在中国科学院、长春应用化学研究所和相关高校等,以及桂林电科院、深圳瑞华泰、长春高崎、山东万达、江苏亚宝、溧阳华晶、宁波今山电子、江阴天华、无锡TIP41C高拓、江苏先诺等公司。CPI克服了传统聚酰亚胺薄膜带有浅黄或深黄颜色的缺点,是聚酰亚胺品种中较新的TIP41C一种,其优异的热学性能很好地满足了光电材料新发展的需求,在柔性器件衬底膜等光电器件上具有重要作用。
CPI薄膜的工业化以三菱瓦斯、杜邦、三井化学、SKC、KOLON、东洋纺等为主要生产者。三菱瓦斯是最早TIP41C商业化生产CPI薄膜的公司,SKC和KOLON也在积极研发CPI薄膜。