CSD87330Q3D

CSD87330Q3D属性

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CSD87330Q3D描述

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LSON-CLIP-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 750 mV
Qg-栅极电荷: 4.8 nC, 9.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
高度: 1.5 mm
长度: 3.3 mm
系列: CSD87330Q3D
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 76 S, 51 S
开发套件: EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
下降时间: 1.7 ns, 1.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.8 ns, 7.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns, 4.5 ns
单位重量: 68 mg

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