CSD87333Q3D

CSD87333Q3D属性

---

CSD87333Q3D描述

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 14.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 3.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 3.3 mm
系列: CSD87333Q3D
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 43 S
下降时间: 2.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9.4 ns
典型接通延迟时间: 2.1 ns
单位重量: 20.600 mg

深圳市川蓝电子科技有限公司
深圳市福田区中航路世纪汇广场都会轩1810
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡小姐
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

---

CSD87333Q3D相关产品