产品描述：FDS86242
FDS86242：150V N沟道PowerTrench®MOSFET
这一Ñ沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级的PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现RDS（ON），开关性能以及坚固性而优化。
产品特性：FDS86242
最大rDS（on）= 67 mO（VGS = 10 V，ID = 4.1 A）
最大rDS（on）= 98mO（VGS = 6 V，ID = 3.3 A）
高性能沟道技术可实现极低的RDS（ON）
在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
100％经过UIL测试
符合RoHS标准
应用：FDS86242
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
DC / DC转换器
离线UPS
分布式电源架构和VRM
用于24V和48V系统的初级开关
高压同步整流器
制造商:FDS86242
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
150 V
Id-连续漏极电流:
20 A
Rds On-漏源导通电阻:
56.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
4 V
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
4.9 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
5 W
配置:
Single
商标名:
PowerTrench
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
系列:
FDS86242
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
N-Channel Power Trench MOSFET
宽度:
3.9 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
11 S
下降时间:
10 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
10 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
23 ns
典型接通延迟时间:
16 ns
单位重量:
130 mg
