产品描述：FDC2512
FDC2512：150V N沟道PowerTrench®MOSFET
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC / DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷，低rDS（ON）和高速开关进行了优化。
产品特性：FDC2512
1.4 A，150 V
RDS（on）=425mΩ@ VGS = 10 V.
RDS（on）=475mΩ@ VGS = 6 V.
高性能沟道技术可实现极低的RDS（ON）
低栅极电荷（典型值8nC）
高功率和高电流处理能力
快速开关速度
应用
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
制造商:FDC2512
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SSOT-6
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
150 V
Id-连续漏极电流:
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻:
425 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.6 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
PowerTrench
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.1 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDC2512
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
1.6 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
4 S
下降时间:
3.5 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
3.5 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
22 ns
典型接通延迟时间:
6.5 ns
零件号别名:
FDC2512_NL
单位重量:
30 mg
