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供应动态随机存储器MT40A1G8PM-083E:A

发布时间:2019/7/24 10:24:00 访问次数:306 发布企业:深圳市旺财半导体有限公司

DDR4 SDRAM MT40A2G4 MT40A1G8 MT40A512M16动态随机存储器MT40A1G8PM-083E:A

动态随机存储器MT40A1G8PM-083E:A功能•VDD = VDDQ = 1.2 V±60 mv•页= 2.5 V, -125 mv, + 250 mv•On-die,内部,可调VREFDQ代•1.2 V伪明渠I / O•T C最大到95°C - 64 ms, 8192动态随机存储器MT40A1G8PM-083E:A-周期刷新到85°C - 32女士,8192 -周期刷新> 85°C到95°C•16内部银行(×8 x4): 4组4银行每个•8内部银行():2组,每组4银行•8 n位预取架构•可编程数据选通前言•数据选通序言培训•命令/地址延迟(CAL)•多用途寄存器读写能力•写平•动态随机存储器MT40A1G8PM-083E:A自我刷新模式•低能耗汽车自我刷新(LPASR)•温度可控刷新(TCR)•细粒度更新•自我刷新中止•最大的节电•驱动输出校准•名义,公园,动态模上终止(ODT)•动态随机存储器MT40A1G8PM-083E:A数据总线反转(DBI)为数据总线•命令/地址奇偶校验(CA)•动态随机存储器MT40A1G8PM-083E:A数据库写循环冗余检查(CRC)•每dram可寻址性•连接性测试•JEDEC JESD-79-4兼容•sPPR和hPPR能力

选项1标记•配置- 2gig x4 2G4 - 1gig x8 1G8 - 512 Meg x 16 512M16•78球FBGA包(无pb) - x4, x8

- 9毫米x 13.2毫米——启点——8毫米x 12毫米-启B, D, G - 7.5毫米x 11毫米——启E、H, J SA•96 -球FBGA包(Pb-free)乘16 - 9毫米x 14毫米-启一个HA - 8毫米x 14 mm -启B司法院- 7.5毫米x 13.5毫米启D, E,H LY - 7.5毫米x 13毫米-启结核病J•时间周期时间- 0.625 ns @ CL = 22 (ddr4 - 3200) -062 E - 0.682 ns @ CL = 21 (ddr4 - 2933) -068 - 0.750 ns @ CL = 19 (ddr4 - 2666) -075 - 0.750 ns @ CL = 18 (ddr4 - 2666) -075 E - 0.833 ns @ CL = 17 (ddr4 - 2400) -083 - 0.833 ns @ CL = 16 (ddr4 - 2400) -083 E - 0.937 ns @ CL = 15 (ddr4 - 2133) -093 E - 1.071 ns @ CL = 13 (ddr4 - 1866) -107 E•操作温度——商业(0°ืTCื95°C),没有一个工业(-40°ืTCื95°C)•修订:A: B, D, E, G: H: J注意:1。并不是所有列出的选项都可以组合起来定义所提供的产品

每8192×tREFI一次是可接受的选择。将DRAM置于自刷新模式还可以减少切换CKE的需要。•并非所有在数据表中指定的功能都可以由较早的模具修订支持,因为JEDEC的定义较晚。•x16设备的DQ总线由两个字节组成。如果只需要使用一个字节,使用低字节数据传输和终止上字节指出:——连接UDQS_t VDDQ或VSS / VSSQ通过电阻器在200വ范围.



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