BSM15GP120 产品属性:
制造商 Infineon 产品种类 IGBT 模块产品 IGBT Silicon Modules 配置 Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V 集电极—射极饱和电压 2.2 V
在25 C的连续集电极电流 35 A 栅极—射极漏泄电流 300 nA
功率耗散 180 W 最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 EconoPIM2 栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
最小工作温度 - 40 C 安装风格 Screw
工厂包装数量 500
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