参数如下：
制造商 Infineon 产品种类 IGBT 模块
产品 IGBT Silicon Modules 配置 Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V 集电极—射极饱和电压 1.95 V
在25 C的连续集电极电流 20 A 栅极—射极漏泄电流 300 nA
功率耗散 100 W 最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 EconoPIM2 栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
最小工作温度 - 40 C 安装风格 Screw
工厂包装数量 500
订购热线：0755-28115461转601 手机13066878252
联 系 人：向小姐
