IRFR1205TRPBF Infineon英飞凌功率NMOS 55V 44A 107W
IRFR1205TRPBF特性
超低通电阻
贴片安装(IRFR1205TRPBF)
快速切换
全雪崩等级
无铅
IRFR1205TRPBF说明
IRFR1205TRPBF是国际整流器公司生产的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现了硅片面积上最低的导通电阻。这种优势，再加上HEXFET功率MOSFET所具有的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了在各种应用中使用的一种极其高效的器件。
PAK设计用于表面安装，采用气相、红外或波焊技术直引线版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面安装应用中，功率损耗可达1.5W。
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 37 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 43.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 60 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 69 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 7.3 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
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