IRFR3410TRPBF Infineon英飞凌功率NMOS 100V 31A 110W
IRFR3410TRPBF应用
高频直流-直流转换器
无铅
IRFR3410TRPBF特性
栅极到漏极电荷低，可降低开关损耗
完全特性化电容，包括有效的 COSS 以简化设计
完全特性化的雪崩电压 和电流
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 31 A
Rds On-漏源导通电阻: 39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 37 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 33 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
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