TPD4E001DRLR的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
TPD4E001DRLR
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
1647520189
包装说明
1.60 X 1.60 MM, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
针数
6
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Philippines
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.80
风险等级
1.44
Samacsys Description
Low-Capacitance 4-Channel +/-15-kV ESD Protection Array for High-Speed Data Interfaces
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
最小击穿电压
11 V
最大钳位电压
25 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
MO-178AB
JESD-30 代码
S-PDSO-F6
JESD-609代码
e4
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
100 W
元件数量
1
端子数量
6
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性
UNIDIRECTIONAL
认证状态
Not Qualified
参考标准
IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压
5.5 V
最大反向电流
0.001 µA
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
TPD4E001DRLR静电和浪涌保护器的作用及应用
#### 引言 随着电子设备的普及，静电和浪涌对电子元件的损害日益受到关注。在电子元件和电路中，静电放电（ESD）和电涌（surge）是导致设备性能下降或者完全失效的主要原因之一。TPD4E001DRLR是一款专门设计用于保护敏感元件免受这些威胁的静电和浪涌保护器。本文将探讨TPD4E001DRLR的技术规格、工作原理、实际应用以及在现代电子设备中的重要性。
#### TPD4E001DRLR的技术规格 TPD4E001DRLR是一种四通道静电放电保护器，采用了小型化的SOT-553封装。其最大工作电压为5V，具有极低的输入放电电压和较快的响应时间，这使得它在瞬态电压下能够迅速保护电路。该器件的主要特点包括：低输入电容、高速开关、良好的热性能和小巧的封装。这些特性使得TPD4E001DRLR非常适合于USB接口、HDMI接口、以太网接口等高频信号传输的场合。
在功能上，TPD4E001DRLR能够有效地抑制静电和浪涌情况。它具备的ESD保护等级符合IEC 61000-4-2标准，可以支持高达±8kV的接触放电和±15kV的空气放电。这样的保护能力使得它能够适应多种不同的应用环境，尤其是在那些容易受到静电干扰的电子设备中。
#### 工作原理 TPD4E001DRLR工作原理的关键在于其内置的二极管阵列和瞬态电压抑制器（TVS）。当外部的电压超过其设定的阈值时，TPD4E001DRLR会迅速将多余的电压引导至地线，从而防止过高电压对设备内部电路造成损伤。在正常工作状态下，TPD4E001DRLR的二极管处于反向偏置状态，因此不会影响信号传输。只有在静电或浪涌事件发生时，二极管才会导通并提供保护。
此外，TPD4E001DRLR还具有出色的钳位特性。当瞬态电压出现时，该器件能够将电压限制在安全的水平，确保下游元件不受损害。不仅如此，它的低电容特性也避免了信号传输过程中的失真，保证了高频信号的完整性，这对于现代高速数据通信至关重要。
#### 应用领域 TPD4E001DRLR广泛应用于各种电子产品中，尤其是在需要高可靠性和高性能的场合。比如，在智能手机、平板电脑和其他消费类电子设备中，TPD4E001DRLR被用于USB和HDMI接口的保护，防止设备在使用过程中受到静电和瞬态电压冲击的影响。同时，由于手机和电脑等设备在日常使用中频繁插拔接口，因此对接口保护的需求尤为迫切。
此外，在工业控制系统中，TPD4E001DRLR也发挥着越来越重要的角色。许多工业设备和传感器均需长时间于恶劣环境中工作，这使它们更容易受到静电和浪涌影响。TPD4E001DRLR的高ESD等级和快速响应能力，能够有效提高工业设备的可靠性和稳定性，保障生产线的正常运作。
在汽车电子领域，TPD4E001DRLR也逐渐得到应用。随着汽车智能化的进程加快，各种传感器和微控制器被大量使用，如何保护这些敏感元件不受静电和电压冲击的影响，成为设计者必须考虑的问题。TPD4E001DRLR良好的性能使其在汽车电子设备中得以广泛应用，提升了车辆的安全性和稳定性。
#### 未来的展望 随着物联网（IoT）和智能家居等新兴技术的发展，电子设备变得越来越小型化和智能化，催生对高效、可靠的保护器件的需求。TPD4E001DRLR的优势使其在新的应用场景中展现出了巨大的市场潜力。例如，在智能家居设备和可穿戴设备中，如何有效抵御外部环境的干扰，将是确保设备正常报警、数据传输等重要功能的重要因素。
同时，随着5G通信技术的推广，数据传输速率的提升也对保护器件提出了更高的要求，TPD4E001DRLR的低电容特性为其在5G相关应用中提供了良好的基础。在未来，设计更小巧、更高效的静电和浪涌保护器，可能会成为电子器件设计的一项重要趋势。
TPD4E001DRLR的应用前景广阔，其在各种电子产品中的保护功能，不仅提升了产品的耐用性和稳定性，也为用户提供了更好的体验。随着对高频、高速数据传输需求的增加，预计将会有更多更先进的保护器应运而生，以满足市场对静电和浪涌保护的不断提高的标准。
TPD4E001DRLR
TI(德州仪器)
EPC16QI100N
ALTERA(阿尔特拉)
MC7815BDTRKG
ON(安森美)
NTHD4102PT1G
ON(安森美)
LP38798SD-ADJ
TI(德州仪器)
MCIMX6D5EYM10AC
Freescale(飞思卡尔)
MCP73831T-2ATI/OT
Microchip(微芯)
SIT3088EESA
SIT(芯力特)
TS3USB30ERSWR
TI(德州仪器)
STM32H725IGK6
ST(意法)
10CL010YU256C8G
ALTERA(阿尔特拉)
74HCT125D
NXP(恩智浦)
IKCM15F60GA
LS Research
STM32F427IGH6
ST(意法)
PIC18F47K42-I/PT
Microchip(微芯)
MC33664ATL1EG
Freescale(飞思卡尔)
K4B4G1646E-BCMA
SAMSUNG(三星)
MX25L51245GMI-08G
MXIC(旺宏)
SN74HC273N
TI(德州仪器)
HI-8591PSI
Holt Integrated Circuits Inc.
NCV1117DT50RKG
ON(安森美)
FDD3672
ON(安森美)
STM32F071RBT6
ST(意法)
MK20DN512VLK10
NXP(恩智浦)
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B
micron(镁光)
IRFB4410ZPBF
Vishay(威世)
KLMCG4JETD-B041
SAMSUNG(三星)
C8051F340-GQ
SILICON LABS(芯科)
PIC16F690T-I/SS
Microchip(微芯)
25AA128T-I/ST
Microchip(微芯)
ADE7868AACPZ
ADI(亚德诺)
MX25R1635FZUIL0
MXIC(旺宏)
DAC7562TDSCR
TI(德州仪器)
PIC12F675T-I/SN
MIC(昌福)
DSPIC30F5011-30I/PT
Microchip(微芯)
MCP4921-E/P
Microchip(微芯)
PIC18F26Q10-I/SS
Microchip(微芯)
FS32K118LFT0MLFR
NXP(恩智浦)
ADL5513ACPZ
ADI(亚德诺)
MAX232EPE
Maxim(美信)
PIC16F84A-04/P
Microchip(微芯)
FNB80560T3
ON(安森美)
NCD5701ADR2G
ON(安森美)
AD9913BCPZ
ADI(亚德诺)
ADM4853ARZ
ADI(亚德诺)
K4B4G1646E-BYK0
SAMSUNG(三星)
74HC595
NXP(恩智浦)
LPC2119FBD64
NXP(恩智浦)
TC58BVG1S3HTA00
TOSHIBA(东芝)
LMV358MX
TI(德州仪器)
ADG411BRZ
ADI(亚德诺)
ADV7390BCPZ
ADI(亚德诺)
IRFB7434PBF
IR(国际整流器)
ADF7021BCPZ
ADI(亚德诺)
ADM7171ACPZ-3.0
ADI(亚德诺)
ADM213EARSZ
ADI(亚德诺)
ADS1216Y
TI(德州仪器)
DAC7724U
Burr-Brown(TI)
LTC4357IMS8
LINEAR(凌特)
NJM4580M
JRC(日本无线电)
SCTW90N65G2V
ST(意法)
STM32F071CBU6
ST(意法)
XCVP1502-2MSEVSVA2785
AD7924BRUZ
ADI(亚德诺)
ATTINY814-SSZT-VAO
HMC697LP4E
ADI(亚德诺)
LM3481
TI(德州仪器)
LM5116MH
TI(德州仪器)
LM2672MX-5.0/NOPB
TI(德州仪器)
TPS3701DDCR
TI(德州仪器)
TM4C1290NCPDTI3R
TI(德州仪器)
LMZ14202TZ-ADJ/NOPB
TI(德州仪器)
TPS2561DRCR
TI(德州仪器)
TPS62745DSSR
TI(德州仪器)
A3967SLBTR-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
TCAN1042HDRQ1
TI(德州仪器)
TPS73801DCQR
TI(德州仪器)
BNX002-01
MURATA(村田)
LTV-356T-B
LITEON(台湾光宝)
LM2903DGKR
TI(德州仪器)
NRVTS260ESFT1G
ON(安森美)
BAT46JFILM
ST(意法)
MGA-30689-TR1G
Avago(安华高)
CD4013BM96
TI(德州仪器)
1SMA5919BT3G
ON(安森美)
UCC27524AQDRQ1
TI(德州仪器)
MLX90365LDC-ABD-000-RE
Melexis(迈来芯)
TFP410MPAPREP
TI(德州仪器)
DRV8803PWPR
TI(德州仪器)
MC74HC14ADR2G
ON(安森美)
SA575DTBR2G
ON(安森美)
LMR23610ADDAR
TI(德州仪器)
2N7002K-7
Opto Diode Corporation
TPS51200QDRCRQ1
TI(德州仪器)
SN74LVC08APWR
TI(德州仪器)
DCP020515DU
TI(德州仪器)
MBT3904DW1T1G
ON(安森美)
LM2903MX
TI(德州仪器)
NCP1729SN35T1G
ON(安森美)
XC6SLX150T-3FGG676I
XILINX(赛灵思)
MK20DX128VFM5
Freescale(飞思卡尔)
UC3825DWTR
TI(德州仪器)
EP3C25U256I7N
ALTERA(阿尔特拉)
