TPS60400DBVR的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
TPS60400DBVR
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
1910018319
零件包装代码
SOT-23
包装说明
GREEN, PLASTIC, SOT-23, 5 PIN
针数
5
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China, Malaysia, Philippines, Thailand
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.39.00.01
风险等级
0.72
Samacsys Description
60mA Charge Pump Voltage Inverter with Variable Switching Frequency
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
模拟集成电路 - 其他类型
SWITCHED CAPACITOR CONVERTER
最大输入电压
5.25 V
最小输入电压
1.6 V
标称输入电压
5 V
JESD-30 代码
R-PDSO-G5
JESD-609代码
e4
长度
2.9 mm
湿度敏感等级
1
功能数量
1
输出次数
1
端子数量
5
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
最大输出电流
0.06 A
最大输出电压
-1.6 V
最小输出电压
-5.25 V
标称输出电压
-5 V
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LSSOP
封装等效代码
TSOP5/6,.11,37
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.45 mm
表面贴装
YES
切换器配置
DOUBLER INVERTER
最大切换频率
350 kHz
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.95 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
1.6 mm
TPS60400DBVR电压逆变器：技术阐述与应用探索
引言
电压逆变器作为现代电力电子技术中的重要组成部分，其主要功能是将直流电压转换为交流电压。TPS60400DBVR是一款具有高效能和多功能的小型化电压逆变器，广泛应用于便携式电子设备、可穿戴技术以及其他需要高效电能管理的系统中。本文将从TPS60400DBVR的结构特性、工作原理、应用场景以及设计考虑进行深入探讨。
TPS60400DBVR的结构特性
TPS60400DBVR是德州仪器公司（Texas Instruments）推出的一款低输入电压的电压逆变器，其封装形式为VQFN-16，具备紧凑的外形设计。在内部结构方面，TPS60400DBVR包含了多个关键组件，包括振荡器、输出级、反馈环路和控制电路。这些组件相互配合，以实现高效的电能转换。
在参数方面，TPS60400DBVR支持输入电压范围在1.8V至5.5V之间，输出电压为负值，通常为-5V输出，适用于多种电源管理需求。该逆变器的最大输出电流为100mA，响应时间快，能够迅速调节输出以适应负载变化。这一特性使得TPS60400DBVR广泛应用于需要稳定负电压供电的场合。
工作原理
TPS60400DBVR的工作原理基于反相器拓扑结构，它利用电感的储能特性实现电压逆转。在工作过程中，逆变器首先利用输入电压对电感进行充电。随着开关元件的交替导通和关断，电感中储存的能量被释放，从而在输出端产生负电压。这一过程中的占空比控制和反馈机制保证了输出电压的稳定性和准确性。
此外，TPS60400DBVR还内置有过流保护和热关断功能。这些保护措施可确保设备在异常工作条件下不会损坏，同时也为系统提供了可靠的电源管理方案。通过动态调整开关频率和占空比，TPS60400DBVR能够在不同负载条件下保持高效率，通常效率可达80%-90%。
应用场景
TPS60400DBVR因其优异的电能转换效率和小巧的设计，被广泛应用于多个领域。首先，在便携式电子设备中，它常用于提供负电压供给，包括便携式音响、数码相机及便携式测量仪器等。这些设备通常需要负电压来驱动特定的模拟电路，TPS60400DBVR能够高效满足这一需求。
其次，在可穿戴设备领域，TPS60400DBVR的低功耗特性使其非常适合该应用。可穿戴技术一般要求电池寿命长、功耗低，TPS60400DBVR能够在保持输出稳定的同时，最大限度降低能耗。这一点对于健康监测设备、智能手表和其他穿戴装备至关重要。
另外，TPS60400DBVR还可以应用于其他电子系统中，如信号处理和电源管理模块。在这些应用中，其能够提供稳定的负电压，有效提高其他电路的性能，使得系统整体更加高效。由于其设计的灵活性，工程师可以根据具体的应用需求进行调整和优化，从而更好地适应不同的工作环境和负载条件。
设计考虑
在设计使用TPS60400DBVR的电路时，需要考虑多种因素以确保系统的最佳性能。首先，输入和输出电压的选择需结合应用需求进行合理设置。确保输入电压在允许范围内，并根据负载的变化情况动态调整反馈回路参数，以保证输出电压的稳定性。
其次，为了优化性能，还需关注外部元件的选择。电感和电容的选择对逆变器的工作效率和稳定性有着重要影响。适当的电感值和输出电容的大小能够显著提高逆变器的响应速度和降低纹波电压。此外，布局设计同样至关重要，良好的布局可以减少PCB上的电磁干扰，提升整体的工作效率。
最后，进行充分的仿真和测试也是设计过程中不可忽视的一环。通过在不同工作条件下对电路进行仿真测试，可以识别潜在问题并进行相应的调整和优化。同时，实时监测输出电压和电流，有助于确保电路在安全范围内运行，防止因超载或短路导致的器件损坏。
未来展望
随着科技的不断进步，电压逆变器的功能与应用领域也在不断扩展。TPS60400DBVR的设计与应用适应了这一趋势，其高效能、小型化的特点使其能够灵活应对市场对于紧凑型电源解决方案的需求。此外，随着可穿戴设备、IoT（物联网）和其他智能设备的快速发展，对高效电压逆变器的需求将进一步上升。
未来，TPS60400DBVR及其系列产品有望在新兴应用领域中发挥更大的作用。尤其是在新能源、智能交通和工业自动化这些领域，其高效能和灵活性将成为重要的竞争优势。同时，开发更高效、低功耗的电压逆变器产品也是业界面临的重要挑战，未来的发展将更加注重集成化、智能化和可持续性设计。
MC33202DR2G ON(安森美)
SN74ALVC164245DGGR TI(德州仪器)
ADXRS300ABG ADI(亚德诺)
SN74LVC244APWR TI(德州仪器)
NTD20P06LT4G ON(安森美)
IRFR9024NTRPBF Infineon(英飞凌)
TXS02612RTWR TI(德州仪器)
SY8113BADC SILERGY(矽力杰)
PIC16F628A-I/P Microchip(微芯)
STM32F100R8T6B ST(意法)
74HC164D TI(德州仪器)
MP1484EN-LF-Z MPS(美国芯源)
STM32F051R8T6 ST(意法)
PIC18F2520-I/SO MIC(昌福)
XC7VX690T-2FFG1157I XILINX(赛灵思)
STM32F205ZGT6 ST(意法)
FIN1104MTC Fairchild(飞兆/仙童)
SE5004L-R Skyworks(思佳讯)
STM8S207R8T6 ST(意法)
BCM89883B1BFBG Broadcom(博通)
AD620ARZ-REEL7 ADI(亚德诺)
TM4C129ENCPDTI3R TI(德州仪器)
MC9S12DP512CPVE Freescale(飞思卡尔)
DSP56F807PY80E TI(德州仪器)
STM32H750IBK6 ST(意法)
MC908MR32CFUE NXP(恩智浦)
STM32H723VGT6 ST(意法)
NT5CC256M16ER-EK Nanya Technology
LTC1859IG LINEAR(凌特)
L5973D013TR ST(意法)
B0505S-1WR3 GC
XC6SLX45-2CSG324I XILINX(赛灵思)
FT4232HL-REEL FTDI(飞特帝亚)
XTR116UA/2K5 TI(德州仪器)
PIC32MX695F512L-80I/PT Microchip(微芯)
MT3608 MT Microsystems
MX25L12835FM2I-10G MXIC(旺宏)
GD32F405RGT6 GD(兆易创新)
RM57L843BZWTT TI(德州仪器)
EP4CE15M9C7N ALTERA(阿尔特拉)
EPC2LI20N INTEL(英特尔)
FM25CL64B-GTR Cypress(赛普拉斯)
74HC4051D NXP(恩智浦)
AZ431AN-ATRE1 Diodes(美台)
PRTR5V0U2X Philips(飞利浦)
XC6SLX150-3FGG484I XILINX(赛灵思)
LM2904DT ST(意法)
LM5176PWPR TI(德州仪器)
CLM-83-2W+ Mini-Circuits
EP4CE15F17C8N INTEL(英特尔)
MC33072DR2G ON(安森美)
STM32G030K6T6 ST(意法)
STM32L151RCT6 ST(意法)
TLE5012BE1000 Infineon(英飞凌)
TPS40170RGYR TI(德州仪器)
OPA365AIDBVR TI(德州仪器)
MMBT2907ALT1G ON(安森美)
TLE2142IDR TI(德州仪器)
EP4CE40F23I7N ALTERA(阿尔特拉)
TXS0102DCTR TI(德州仪器)
KSZ8795CLXIC Microchip(微芯)
MT41K256M16HA-125:E micron(镁光)
L298N ST(意法)
UCC27324DR TI(德州仪器)
GD32F407VET6 ST(意法)
STM32H743IIK6 ST(意法)
XC7Z010-1CLG400I XILINX(赛灵思)
MP1584EN MPS(美国芯源)
TCA6424ARGJR TI(德州仪器)
ST3485EBDR UMW(友台半导体)
KSZ8995MAI MIC(昌福)
L6203 ST(意法)
ATMEGA8L-8AU Atmel(爱特梅尔)
TJA1042T/3/1J NXP(恩智浦)
MK60FX512VLQ12 Freescale(飞思卡尔)
74HC4052D TI(德州仪器)
XCZU7EV-2FFVC1156I XILINX(赛灵思)
AD7606BBSTZ ADI(亚德诺)
ADR441BRZ ADI(亚德诺)
BCM89820A2BFBG Broadcom(博通)
DS125BR820NJYR TI(德州仪器)
LMZ31530RLGT TI(德州仪器)
SN65HVD251DR TI(德州仪器)
TPS62130RGTR TI(德州仪器)
EP4CE30F23C8N ALTERA(阿尔特拉)
MC33178DR2G ON(安森美)
TLV61046ADBVR TI(德州仪器)
BCX56-16 Infineon(英飞凌)
IKW40N120H3 Infineon(英飞凌)
UPD78F0849GKA-GAK-G Renesas(瑞萨)
TMP36GT9Z ADI(亚德诺)
BTN8962TA Infineon(英飞凌)
MK61FX512VMJ15 Freescale(飞思卡尔)
PCF8566T Philips(飞利浦)
LM2674MX-ADJ/NOPB TI(德州仪器)
TPS54160ADGQR TI(德州仪器)
TLV271QDBVRQ1 TI(德州仪器)
L78M05CDT-TR ST(意法)
MT25QL128ABA1ESE-0SIT micron(镁光)
SHT20 Sensirion(瑞士盛思锐)
FQD7P20TM ON(安森美)
LM339DT ON(安森美)
DSPIC30F2010-30I/SP MIC(昌福)
FIN1104MTCX Fairchild(飞兆/仙童)
FDH44N50 Freescale(飞思卡尔)
LM2574MX-5.0 TI(德州仪器)
AD8672ARZ ADI(亚德诺)
USB2514B-AEZC-TR smsc
ADS1118IDGSR TI(德州仪器)
MMA8452QR1 Freescale(飞思卡尔)
MCP4725A0T-E/CH Microchip(微芯)
VN7140ASTR ST(意法)
L78L05ACUTR ST(意法)
N25Q256A13EF840E micron(镁光)
DRV8821DCAR TI(德州仪器)
LM293DR ON(安森美)
BQ24780SRUYR TI(德州仪器)
OPA277U Burr-Brown(TI)
TPS51200DRC TI(德州仪器)
TPS7B7702QPWPRQ1 TI(德州仪器)
TMP75AIDGKR TI(德州仪器)
MAX232ESE+T Maxim(美信)
SN74LVC1G3157DBVR TI(德州仪器)
10M50DAF256I7G INTEL(英特尔)
AM26LS31CDR TI(德州仪器)
74HC4051PW Nexperia(安世)
AT89C52-24PI Atmel(爱特梅尔)
ADG419BRZ ADI(亚德诺)
LM1117IMPX-ADJ TI(德州仪器)
LM334Z TI(德州仪器)
88E1111-B2-BAB2I000 Marvell(美满)
TPS51206DSQR TI(德州仪器)
TPS63070RNMR TI(德州仪器)
