传统上一般用干刻蚀制作图案,然而,当进人高介质金属栅后,一些新材料如镧没有任何可知的挥发性化合物,就无法使用干刻蚀进行刻蚀。W15-0082M0125HD在这种情况下,湿法刻蚀就被用来实现图案制备。Kubicck等人已经介绍一种先双金属栅双介质(HKMG伍rst)的CMOS集成流程[3:」,如图9.16所示。对于先栅极集成,NMOS和PMOS可能需要不同的金属、高介质和覆盖材料。为了实现这个结构制作,在沉积界面层、高介质、P型覆盖、P型金属和多晶硅硬罩之后,进行一次图案光阻幕罩的制造,以便于多晶硅覆盖PM(B区域,同时NMOS区域没有多晶硅幕罩。之后,一个湿法刻蚀被用来选择性地去除没有被多晶硅覆盖的金属、覆盖和高介质层,而多晶硅幕罩覆盖的区域及其以下多层材料不被伤及。接着沉积第二个栅叠层,并一样使用多晶硅幕罩来选择性刻蚀。