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HP9传感器将光线精准地导向相应RGB滤色片从而显著提升感光能力

发布时间:2024/7/1 9:00:47 访问次数:139

元件为系统增加了固有安全性,确保操作员不会通过触摸故障点附近的金属外壳意外接触带电电压。

将直流系统接地的第二个好处是,大型互连接地信号网络可以创建非常一致的参考点。如果您使用仪表测量电压,并且由于干扰,连接点处的电压正在发生变化,但参考电压没有变化,那么这将是一个噪声很大的信号。

高折射率微透镜采用了新材料,使HP9传感器能够将更多光线精准地导向相应的RGB滤色片,从而显著提升了感光能力。与上一代产品相比,HP9的感光度提高了12%(基于信噪比10),自动对焦对比度性能提高了10%,实现了更生动的色彩还原和更强大的对焦性能。

M12028是一款面向小家电、电动工具、户外蓝牙音箱等充电的快充管理SOC,集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计算等功能模块,支持PD3.0、PD2.0、QC3.0、QC2.0、BC1.2 DCP、UFCS快充充电协议,额定充电功率100W,并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。搭载极简的外围电路,即可组成2-4节电池的快充充电解决方案。

与IGBT和MOSFET相比,氮化镓的电容更低,从而降低了电容开关损耗。

受控且更快的di/dt和受控dv/dt有助于优化开关期间的电压电流重叠损耗。

氮化镓具有零反向恢复特性。借助零反向恢复特性,可以以非常高的电流斜率 (di/dt) 和电压斜率 (dv/dt) 切换氮化镓FET。

在MOSFET中,体二极管具有高零反向恢复特性,限制了开关di/dt和dv/dt,并导致额外的损耗和相节点电压振铃。对于IGBT,即使添加优化的反并联二极管,仍然会造成与反向恢复相关的挑战。

在关断时,IGBT会受到少数载流子复合电流(通常称为尾电流)的影响,这会增加关断损耗,氮化镓则没有尾电流。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司

元件为系统增加了固有安全性,确保操作员不会通过触摸故障点附近的金属外壳意外接触带电电压。

将直流系统接地的第二个好处是,大型互连接地信号网络可以创建非常一致的参考点。如果您使用仪表测量电压,并且由于干扰,连接点处的电压正在发生变化,但参考电压没有变化,那么这将是一个噪声很大的信号。

高折射率微透镜采用了新材料,使HP9传感器能够将更多光线精准地导向相应的RGB滤色片,从而显著提升了感光能力。与上一代产品相比,HP9的感光度提高了12%(基于信噪比10),自动对焦对比度性能提高了10%,实现了更生动的色彩还原和更强大的对焦性能。

M12028是一款面向小家电、电动工具、户外蓝牙音箱等充电的快充管理SOC,集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计算等功能模块,支持PD3.0、PD2.0、QC3.0、QC2.0、BC1.2 DCP、UFCS快充充电协议,额定充电功率100W,并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。搭载极简的外围电路,即可组成2-4节电池的快充充电解决方案。

与IGBT和MOSFET相比,氮化镓的电容更低,从而降低了电容开关损耗。

受控且更快的di/dt和受控dv/dt有助于优化开关期间的电压电流重叠损耗。

氮化镓具有零反向恢复特性。借助零反向恢复特性,可以以非常高的电流斜率 (di/dt) 和电压斜率 (dv/dt) 切换氮化镓FET。

在MOSFET中,体二极管具有高零反向恢复特性,限制了开关di/dt和dv/dt,并导致额外的损耗和相节点电压振铃。对于IGBT,即使添加优化的反并联二极管,仍然会造成与反向恢复相关的挑战。

在关断时,IGBT会受到少数载流子复合电流(通常称为尾电流)的影响,这会增加关断损耗,氮化镓则没有尾电流。

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