6ED2742S01Q集成自举二极管,用于为外接高压侧自举电容充电,具有涓流充电电路,支持100%占空比。

MOTIX栅极驱动器可直接驱动高边和低边栅通道，支持高达1A的拉电流和2A的灌电流，并且具有独立的欠压锁定（UVLO）功能。

这款器件的传播延迟为100ns，最小死区时间为100ns，并且带有内置的延迟匹配功能。因此，MOTIX栅极驱动器可实现高开关频率，并降低电平转换损失。QFN-32封装底部的裸露焊盘极大地降低了热阻，保证了运行的可靠性。

SiC装置拥有高效率效能,表现优于传统硅晶型产品,能为电源供应器设计人员带来空前产品效能优势：

低电容电荷(QC)可将切换损耗降至极低，进而提升高速切换产品应用的效率。适合用于功率密度具有较高、解决方案总尺寸较小的电路设计。

低顺向电压(VF)可进一步提高效率、降低功率损耗和营运成本。

减少散热，有助于降低整个系统的散热预算。

高突波电流能力可提升稳固性,实现较佳系统可靠性,而出色热效能还可降低建构成本。

本系列装置提供三种封装选项，包括表面黏着TO252-2(WX型)、通孔TO220AC(WX型)和 ITO220AC(WX-NC 型)。

在ST-ONEMP内部，Cortex-M0+MCU微控制器位于充电器次级侧，片上64KB闪存用于保存定制USB-PD协议和电源转换固件。

全新的PID*系列元件具有不同尺寸版本，以涵盖符合IEEE 802.3cg标准的所有6个功率等级（10到15）,其饱和电流范围为360mA至2100mA。

电源装在0.5英寸x0.5英寸x0.5英寸（立方）的固态真空封装包装中，可防冲击和振动。所有设备都通过UL/cUL和IEC-62368-1安全认证。