高频整流器为最新快速开关IGBT和Si/SiC MOSFET提供去饱和保护
发布时间:2024/9/20 18:02:43 访问次数:12
整流器快速恢复时间为75ns，典型Qrr低至150nC。器件典型正向压降1.10V，比市场上接近的竞品低10%，寄生电容降低50%，且不影响器件可靠性。
此外，与上一代解决方案相比，整流器反向恢复能量（Erec）提高10%，软恢复有助于降低EMI。
VS-E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流最大限度减小开关损耗并降低功耗。器件符合RoHS标准，无卤素，潮湿敏感度达到J-STD-020标准1级，可在+175°C高温下工作。
器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和Si/SiC MOSFET提供去饱和保护。
VS-E7MH0112-M3和汽车级VS-E7MH0112HM3典型应用包括工业和通信设备、电动汽车（EV）车载充电器和电机、以及Ćuk转换器和工业LED PFC CrM SEPIC电路。
172 RLX系列电容器采用径向引线，蓝色套筒绝缘的圆柱形铝外壳，带有减压装置，额定电压高达50 V，容量为150µF至15000µF，+20°C条件下阻抗低至0.011W。电容器具有防充放电功能。
近红外灵敏度是保障DMS/OMS系统影像感度及清晰度的一个关键参数。
LightBox IR™技术能有效提升图像传感器近红外感度，通过引入改进的深沟槽隔离（DTI），实现了更佳的像素隔离及夜视性能，并可进一步减少不同像素带来的直接串扰（Crosstalk），可在微光车内环境下获取清晰的驾驶员及舱内图像，保证人工智能训练和算法识别的准确性。
SC233AT基于SmartGS®-2全局快门技术，并依托思特威独特的SFCPixel®专利技术，能够实现高识别精度和无延时成像，感光度高达9650mV/lux*s，可实时捕捉脸部和眼睛状态，从而大幅提升DMS/OMS系统的监测效果。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
整流器快速恢复时间为75ns，典型Qrr低至150nC。器件典型正向压降1.10V，比市场上接近的竞品低10%，寄生电容降低50%，且不影响器件可靠性。
此外，与上一代解决方案相比，整流器反向恢复能量（Erec）提高10%，软恢复有助于降低EMI。
VS-E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流最大限度减小开关损耗并降低功耗。器件符合RoHS标准，无卤素，潮湿敏感度达到J-STD-020标准1级，可在+175°C高温下工作。
器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和Si/SiC MOSFET提供去饱和保护。
VS-E7MH0112-M3和汽车级VS-E7MH0112HM3典型应用包括工业和通信设备、电动汽车（EV）车载充电器和电机、以及Ćuk转换器和工业LED PFC CrM SEPIC电路。
172 RLX系列电容器采用径向引线，蓝色套筒绝缘的圆柱形铝外壳，带有减压装置，额定电压高达50 V，容量为150µF至15000µF，+20°C条件下阻抗低至0.011W。电容器具有防充放电功能。
近红外灵敏度是保障DMS/OMS系统影像感度及清晰度的一个关键参数。
LightBox IR™技术能有效提升图像传感器近红外感度，通过引入改进的深沟槽隔离（DTI），实现了更佳的像素隔离及夜视性能，并可进一步减少不同像素带来的直接串扰（Crosstalk），可在微光车内环境下获取清晰的驾驶员及舱内图像，保证人工智能训练和算法识别的准确性。
SC233AT基于SmartGS®-2全局快门技术，并依托思特威独特的SFCPixel®专利技术，能够实现高识别精度和无延时成像，感光度高达9650mV/lux*s，可实时捕捉脸部和眼睛状态，从而大幅提升DMS/OMS系统的监测效果。
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