①输入电阻Ri。S11MD4T在规定的技术条件（如室温、零磁场）下，控制电流电极端子之间的电阻称为Ri。

   ②输出电阻R。。t在规定的技术条件（如室温、零磁场）下，在无负载情况下，霍尔输出电极端子之间的电阻称为。

   ③额定控制电流IC在磁感应强度B-O时，静止空气中环境温度为25℃条件下，焦耳热产生的允许温升AT=10℃时从霍尔器件电流输入的电流称额定控制电流IC。最大允许控制电流受元件的最高允许使用温度值（Ti）的限制，可以通过最高温度时电损耗等于散热的条件计算出最大允许控制电流ICM。一般锗元件Tj小于80℃，硅元件Tj小于175℃，砷化镓正小于250℃，依据霍尔元件的尺寸(Z、6、d)和电阻率10，散热系数as，AT= Tj - T室温.

   ④乘积灵敏度KH  在单位控制电流IC和单位磁感应强度B的作用下，霍尔器件输出端开路时测得霍尔电压，称为乘积灵敏度KH，其单位为V/(A．T).

   由此可见，半导体材料的载流子迁移率P越大，或者半导体片厚度d越小，则乘积灵敏度KH就越高。

   ⑤磁灵敏度SB在额定控制电流IC和单位磁感应强度B的作用下，霍尔器件输出端开路时的霍尔电压UH称为磁灵敏度，表示为SB=UH/B(其单位为V／T)，

   ⑥不等位电势UM  当输入额定的控制电流Ic时，即使不加外磁场(B—O)，由于在生产中材料厚度不均匀或输出电极焊接不良等，造成两个输出电压电极不在同一等位面上，在输出电压电极之间仍有一定的电位差。这种电位差称为不等位电势(UM)，其测量电路如图3-39所示。由图可以看出，UM电势有方向性，是随着控制电流方向改变而改变的，但是数值不变。