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2SC3807C
三洋半导体
数据表
NPN外延平面硅晶体管
2SC3807C
应用
25V / 2A高-HFE ，低频
通用运算放大器应用
低频通用放大器，驱动器。
特点
大电流能力（ IC = 2A） 。
通过MBIT过程。
高直流电流增益（HFE = 1000至2000年） 。
低集电极 - 发射极饱和电压（ VCE （SAT）
≤0.5V
).
高VEBO （ VEBO
≥17V).
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
30
25
17
2
4
1.2
15
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
30707LA TI IM TC- 00000055号A0439-1 / 4
2SC3807C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = 20V ， IE = 0A
VEB = 10V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 500毫安
VCE = 5V ， IC = 1A
VCE = 10V ， IC = 0.1A
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 1A ， IB = 20mA下
IC = 1A ， IB = 20mA下
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
30
25
17
0.14
0.8
0.12
1000
600
260
24
0.15
0.85
0.5
1.2
兆赫
pF
V
V
V
V
V
s
s
s
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
2000
单位
A
A
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7517-002
8.0
4.0
2.0
开关时间测试电路
2.7
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
IB1
IB2
RB
产量
RL
9.0
11.0
+
100F
+
470F
VCC=10V
1.6
0.8
0.8
0.6
1.5
3.0
--5V
0.5
15.5
7IB1 = --7IB2 = IC = 700毫安
1
2
3
1.2
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
三洋： TO- 126LP
2.4
4.8
2.0
IC - VCE
A
10
7
A
m
.0
A
mA
A
5.0
4.0m
3.0m
2.0
IC - VBE
VCE=5V
1.8
.0m
2.0mA
集电极电流， IC - 一个
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
集电极电流， IC - 一个
20.0mA
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
6
A
.0m
1.0mA
5
°
C
25
°
C
0.6
0.4
0.2
IB=0mA
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT11143
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT11142
基极发射极电压VBE - V
TA
7
0.5mA
0.8
--25
°
C
第A0439-2 / 4
2SC3807C
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超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
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PS第A0439-4 / 4
