2SJ527 （L） 2SJ527 （S）
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0877-0300
（上一个： ADE- 208-640A ）
Rev.3.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.3
典型值。
低驱动电流
4 V栅极驱动装置
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A
（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ） ）
4
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
4
D
1
2
3
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2
3
S
Rev.3.00 2005年9月7日第1页8
2SJ527 （L） 2SJ527 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–5
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
2.5
I
AP
= –5 A
V
DD
= –25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
–4
–10 V
–5 V
–2
V
GS
= 0 V
2.0
–3
1.5
1.0
–1
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
D=
PW
T
0.03
1
0.0
脉冲
t
ho
1s
100
0.01
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
–15 V
50
V
DD
0
Rev.3.00 2005年9月7日第5页8
