GS71108ATP/J/SJ/U
SOJ ， TSOP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 7 ， 8 ， 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行： 140/120/95/80毫安最低
周期
采用3.3 V单电源
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项：
–40°
至85℃
封装阵容
J:
400万， 32引脚封装SOJ
GJ ：符合RoHS的400万， 32引脚封装SOJ
目标价： 400万， 32引脚TSOP II型封装
GP ：符合RoHS的400万， 32引脚TSOP II型
包
SJ ： 300万， 32引脚封装SOJ
U： 6毫米毫米x 8毫米细间距球栅阵列封装
GU ：符合RoHS标准的6毫米x 8毫米细间距球栅
阵列封装
128K ×8
1MB异步SRAM
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
V
DD
V
SS
DQ
3
DQ
4
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
7，8， 10，12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
SOJ & TSOP- II 128K ×8引脚配置
32
31
30
29
A
4
A5
A6
A
7
OE
DQ
8
DQ
7
V
SS
V
DD
DQ6
DQ
5
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
32-pin
400万SOJ
＆放大器;
300万SOJ
＆放大器;
400万TSOP II
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
描述
该GS71108A是有组织的高速CMOS静态RAM
如131,072字由8位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS71108A可在6毫米毫米x 8毫米
细间距的BGA封装，以及在300密耳和400密耳
SOJ和400万TSOP II型封装。
包 ， TP ，和SJ
细间距BGA 128K ×8焊球配置
1
A
B
C
NC
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
DD
DQ
3
DQ
4
NC
2
OE
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
A
14
A
15
A
16
4
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
11
A
12
A
13
5
A
7
CE
NC
NC
NC
DQ
5
WE
A
9
6
NC
DQ
8
DQ
7
V
DD
V
SS
DQ
6
A
8
NC
引脚说明
符号
A
0
–A
16
DQ
1
-DQ
8
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
D
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
E
F
G
H
包装ü
6毫米×8毫米， 0.75毫米凸点节距
顶视图
冯： 1.08 6/2006
1/16
2001年， GSI技术
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GS71108ATP/J/SJ/U
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
16
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
8
真值表
CE
H
L
L
L
注意：
×： “H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
写
高Z
V
DD
当前
ISB
1
， ISB
2
I
DD
冯： 1.08 6/2006
2/16
2001年， GSI技术
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GS71108ATP/J/SJ/U
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
–0.5
到4.6
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
0.7
–55
150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-7 / -8 / -10 / -12
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
民
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于
–2
V和不超过20纳秒。
冯： 1.08 6/2006
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GS71108ATP/J/SJ/U
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
=
–4
mA
I
LO
= 4毫安
民
–1
uA
–1
uA
2.4
—
最大
1微安
1微安
—
0.4 V
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
– 0.2 V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
7纳秒
8纳秒
10纳秒
12纳秒
7纳秒
-40到85°C
8纳秒
10纳秒
12纳秒
操作
供应
当前
I
DD
140毫安120毫安
95毫安
80毫安
145毫安
125毫安100毫安
85毫安
待机
当前
I
SB1
25毫安
20毫安
20毫安
15毫安
30毫安
25毫安
25毫安
20毫安
待机
当前
I
SB2
2毫安
5毫安
冯： 1.08 6/2006
4/16
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GS71108ATP/J/SJ/U
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
AC特性
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE ）
输出使能到输出有效（ OE ）
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OE
t
OH
t
LZ
*
t
OLZ
*
t
HZ
*
t
OHZ
*
-7
民
7
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
7
7
3
—
—
—
3.5
3
民
8
—
—
—
3
3
0
—
—
-8
最大
—
8
8
3.5
—
—
—
4
3.5
民
10
—
—
—
3
3
0
—
—
-10
最大
—
10
10
4
—
—
—
5
4
民
12
—
—
—
3
3
0
—
—
-12
最大
—
12
12
5
—
—
—
6
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试
冯： 1.08 6/2006
5/16
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GS71108ATP/J/SJ/U
SOJ ， TSOP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 7 ， 8 ， 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行： 140/120/95/80毫安最低
周期
采用3.3 V单电源
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项：
–40°
至85℃
封装阵容
J:
400万， 32引脚封装SOJ
GJ ：符合RoHS的400万， 32引脚封装SOJ
目标价： 400万， 32引脚TSOP II型封装
GP ：符合RoHS的400万， 32引脚TSOP II型
包
SJ ： 300万， 32引脚封装SOJ
U： 6毫米毫米x 8毫米细间距球栅阵列封装
GU ：符合RoHS标准的6毫米x 8毫米细间距球栅
阵列封装
128K ×8
1MB异步SRAM
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
V
DD
V
SS
DQ
3
DQ
4
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
7，8， 10，12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
SOJ & TSOP- II 128K ×8引脚配置
32
31
30
29
A
4
A5
A6
A
7
OE
DQ
8
DQ
7
V
SS
V
DD
DQ6
DQ
5
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
32-pin
400万SOJ
＆放大器;
300万SOJ
＆放大器;
400万TSOP II
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
描述
该GS71108A是有组织的高速CMOS静态RAM
如131,072字由8位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS71108A可在6毫米毫米x 8毫米
细间距的BGA封装，以及在300密耳和400密耳
SOJ和400万TSOP II型封装。
包 ， TP ，和SJ
细间距BGA 128K ×8焊球配置
1
A
B
C
NC
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
DD
DQ
3
DQ
4
NC
2
OE
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
A
14
A
15
A
16
4
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
11
A
12
A
13
5
A
7
CE
NC
NC
NC
DQ
5
WE
A
9
6
NC
DQ
8
DQ
7
V
DD
V
SS
DQ
6
A
8
NC
引脚说明
符号
A
0
–A
16
DQ
1
-DQ
8
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
D
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
E
F
G
H
包装ü
6毫米×8毫米， 0.75毫米凸点节距
顶视图
冯： 1.08 6/2006
1/16
2001年， GSI技术
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GS71108ATP/J/SJ/U
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
16
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
8
真值表
CE
H
L
L
L
注意：
×： “H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
写
高Z
V
DD
当前
ISB
1
， ISB
2
I
DD
冯： 1.08 6/2006
2/16
2001年， GSI技术
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GS71108ATP/J/SJ/U
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
–0.5
到4.6
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
0.7
–55
150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-7 / -8 / -10 / -12
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
民
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于
–2
V和不超过20纳秒。
冯： 1.08 6/2006
3/16
2001年， GSI技术
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GS71108ATP/J/SJ/U
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
=
–4
mA
I
LO
= 4毫安
民
–1
uA
–1
uA
2.4
—
最大
1微安
1微安
—
0.4 V
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
– 0.2 V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
7纳秒
8纳秒
10纳秒
12纳秒
7纳秒
-40到85°C
8纳秒
10纳秒
12纳秒
操作
供应
当前
I
DD
140毫安120毫安
95毫安
80毫安
145毫安
125毫安100毫安
85毫安
待机
当前
I
SB1
25毫安
20毫安
20毫安
15毫安
30毫安
25毫安
25毫安
20毫安
待机
当前
I
SB2
2毫安
5毫安
冯： 1.08 6/2006
4/16
2001年， GSI技术
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GS71108ATP/J/SJ/U
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
AC特性
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE ）
输出使能到输出有效（ OE ）
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OE
t
OH
t
LZ
*
t
OLZ
*
t
HZ
*
t
OHZ
*
-7
民
7
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
7
7
3
—
—
—
3.5
3
民
8
—
—
—
3
3
0
—
—
-8
最大
—
8
8
3.5
—
—
—
4
3.5
民
10
—
—
—
3
3
0
—
—
-10
最大
—
10
10
4
—
—
—
5
4
民
12
—
—
—
3
3
0
—
—
-12
最大
—
12
12
5
—
—
—
6
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试
冯： 1.08 6/2006
5/16
2001年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
QQ：2580480828 复制
