R1RW0404D系列
4M高速SRAM （ 1 - Mword
×
4-bit)
REJ03C0115-0100Z
1.00版
Mar.12.2004
描述
该R1RW0404D是4兆高速静态RAM举办1 Mword
×
4位。它实现了高
通过采用CMOS工艺（ 6晶体管存储单元）和高速电路的速度存取时间
设计技术。它最适合于需要高的速度和高密度的应用
存储器，如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该R1RW0404D打包在400密耳的32针
SOJ高密度表面安装。
特点
单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间： 12纳秒（最大）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流：100 MA（最大）
TTL待机电流： 40毫安（最大值）
CMOS待机电流5mA （最大）
： 0.8毫安（最大值） （L-版本）
数据保持电流：0.4 MA（最大值） （L -版）
数据保持电压： 2 V （分钟） （L -版）
中心V
CC
和V
SS
类型引脚出
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ，页11 1
R1RW0404D系列
订购信息
型号
R1RW0404DGE-2PR
R1RW0404DGE-2LR
存取时间
12纳秒
12纳秒
包
400万的32引脚塑料SOJ （ 32P0K ）
管脚配置
32引脚SOJ
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O1
V
CC
V
SS
I/O2
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A19
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O4
V
SS
V
CC
I/O3
A14
A13
A12
A11
A10
NC
引脚说明
引脚名称
A0到A19
I / O1到I / O4
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 11个2页
R1RW0404D系列
框图
（ LSB ）
A14
A13
A12
A5
A6
A7
A11
A10
A3
A1
（MSB）
I/O1
.
.
.
I/O4
输入
数据
控制
V
CC
ROW
解码器
1024-row
×
64-column
×
16-block
×
4-bit
（ 4,194,304位）
V
SS
CS
列I / O
列解码器
CS
WE＃
CS ＃
A8 A9 A19 A17 A18 A15 A0 A2 A4 A16
（ LSB ）
（MSB）
OE ＃
CS
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 11 3页
R1RW0404D系列
手术床
CS ＃
H
L
L
L
L
OE ＃
×
H
L
H
L
WE＃
×
H
H
L
L
模式
待机
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
D
IN
参考文献。周期
读周期（ 1 ）至（ 3 ）
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到4.6
0.5*
到V
CC
+ 0.5*
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
1.0
0至+70
55
+125
10
+85
注意事项： 1， V
T
（分钟） =
2.0
V脉冲宽度（下拍摄）
≤
6纳秒。
2. V
T
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
6纳秒。
建议的直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
输入电压
注：1 。
2.
3.
4.
符号
V
CC
*
V
SS
*
V
IH
V
IL
3
4
民
3.0
0
2.0
0.5*
1
典型值
3.3
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.5*
0.8
2
单位
V
V
V
V
V
IL
（分钟） =
2.0
V脉冲宽度（下拍摄）
≤
6纳秒。
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
6纳秒。
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 11第4页
R1RW0404D系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
动作电源供给的电流
符号
II
LI
I
II
LO
I
I
CC
民
最大
2
2
100
单位
A
A
mA
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
闵周期
CS ＃ = V
IL
, l
OUT
= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
闵周期， CS ＃ = V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
F = 0兆赫
V
CC
≥
CS ＃
≥
V
CC
0.2 V,
(1) 0 V
≤
V
IN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
V
IN
≥
V
CC
0.2 V
I
OL
= 8毫安
I
OH
=
4
mA
待机电源电流
I
SB
I
SB1
40
5
mA
mA
*
输出电压
注意：
V
OL
V
OH
2.4
1
0.8*
0.4
1
V
V
1.此特性仅在L-版本保证。
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容*
注意：
1
1
符号
C
IN
C
I / O
民
最大
6
8
单位
pF
pF
测试条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
输入/输出电容*
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 11个5页
R1RW0404D系列
4M高速SRAM （ 1 - Mword
×
4-bit)
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1.00版
Mar.12.2004
描述
该R1RW0404D是4兆高速静态RAM举办1 Mword
×
4位。它实现了高
通过采用CMOS工艺（ 6晶体管存储单元）和高速电路的速度存取时间
设计技术。它最适合于需要高的速度和高密度的应用
存储器，如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该R1RW0404D打包在400密耳的32针
SOJ高密度表面安装。
特点
单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间： 12纳秒（最大）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流：100 MA（最大）
TTL待机电流： 40毫安（最大值）
CMOS待机电流5mA （最大）
： 0.8毫安（最大值） （L-版本）
数据保持电流：0.4 MA（最大值） （L -版）
数据保持电压： 2 V （分钟） （L -版）
中心V
CC
和V
SS
类型引脚出
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R1RW0404D系列
订购信息
型号
R1RW0404DGE-2PR
R1RW0404DGE-2LR
存取时间
12纳秒
12纳秒
包
400万的32引脚塑料SOJ （ 32P0K ）
管脚配置
32引脚SOJ
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O1
V
CC
V
SS
I/O2
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A19
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O4
V
SS
V
CC
I/O3
A14
A13
A12
A11
A10
NC
引脚说明
引脚名称
A0到A19
I / O1到I / O4
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 11个2页
R1RW0404D系列
框图
（ LSB ）
A14
A13
A12
A5
A6
A7
A11
A10
A3
A1
（MSB）
I/O1
.
.
.
I/O4
输入
数据
控制
V
CC
ROW
解码器
1024-row
×
64-column
×
16-block
×
4-bit
（ 4,194,304位）
V
SS
CS
列I / O
列解码器
CS
WE＃
CS ＃
A8 A9 A19 A17 A18 A15 A0 A2 A4 A16
（ LSB ）
（MSB）
OE ＃
CS
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 11 3页
R1RW0404D系列
手术床
CS ＃
H
L
L
L
L
OE ＃
×
H
L
H
L
WE＃
×
H
H
L
L
模式
待机
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
D
IN
参考文献。周期
读周期（ 1 ）至（ 3 ）
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到4.6
0.5*
到V
CC
+ 0.5*
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
1.0
0至+70
55
+125
10
+85
注意事项： 1， V
T
（分钟） =
2.0
V脉冲宽度（下拍摄）
≤
6纳秒。
2. V
T
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
6纳秒。
建议的直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
输入电压
注：1 。
2.
3.
4.
符号
V
CC
*
V
SS
*
V
IH
V
IL
3
4
民
3.0
0
2.0
0.5*
1
典型值
3.3
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.5*
0.8
2
单位
V
V
V
V
V
IL
（分钟） =
2.0
V脉冲宽度（下拍摄）
≤
6纳秒。
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
6纳秒。
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
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R1RW0404D系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
动作电源供给的电流
符号
II
LI
I
II
LO
I
I
CC
民
最大
2
2
100
单位
A
A
mA
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
闵周期
CS ＃ = V
IL
, l
OUT
= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
闵周期， CS ＃ = V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
F = 0兆赫
V
CC
≥
CS ＃
≥
V
CC
0.2 V,
(1) 0 V
≤
V
IN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
V
IN
≥
V
CC
0.2 V
I
OL
= 8毫安
I
OH
=
4
mA
待机电源电流
I
SB
I
SB1
40
5
mA
mA
*
输出电压
注意：
V
OL
V
OH
2.4
1
0.8*
0.4
1
V
V
1.此特性仅在L-版本保证。
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容*
注意：
1
1
符号
C
IN
C
I / O
民
最大
6
8
单位
pF
pF
测试条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
输入/输出电容*
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 11个5页
QQ：2880707522 复制
