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数据表
超快速恢复二极管
RF05VA2S
系列
标准的快速恢复
尺寸
（单位：毫米）
0.17±0.1
　　
0.05
1.3±0.05
Land
尺寸图
（单位：毫米）
1.1
■应用
高频整流
1.9±0.1
2.5±0.2
■特点
1 ）小型模具类型。 （ TUMD2 ）
2）高开关速度
3 ）低正向电压
0.8±0.05
TUMD2
Structure
建筑
硅外延刨床
ROHM ： TUMD2
　　　 0.1
点（年周厂） +天
0.6±0.2
盘带
尺寸
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
φ1.55±0.1
　　　　　 0
0.25±0.05
8.0±0.2
1.43±0.05
4.0±0.1
φ1.0±0.2
　　　　　0
2.75
2.8±0.05
0.9±0.08
“绝对
最大额定值
(TI=25C)
参数
符号
V
RM
反向重复峰值电压
V
R
反向电压
平均正向电流整流
正向电流浪涌峰值
结温
储存温度
Io
I
FSM
Tj
TSTG
条件
直流电压的
环氧玻璃基板安装
60Hz的正弦半波阻性负载
60Hz的正弦半波，不重复
一个周期的峰值， TJ = 25°C
范围
200
200
0.5
6
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
C
C
ⅵELECTRICAL
特征
(Tj=25C)
参数
符号
V
F
正向电压
反向电流
反向恢复时间
I
R
TRR
条件
I
F
=0.5A
V
R
=200V
I
F
=0.5A,I
R
=1A,Irr=0.25×I
R
分钟。
－
－
－
典型值。
0.85
0.01
11
马克斯。
0.98
10
25
单位
V
μA
ns
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1/4
2011.10 - Rev.A的
0.8 0.5
2.0
RF05VA2S
　
数据表
10
10000
Tj=150°C
Tj=150°C
正向电流：我
F
(A)
1000
反向电流：I
R
（ nA的）
Tj=125°C
1
Tj=125°C
Tj=25°C
100
Tj=75°C
10
Tj=25°C
1
0.1
Tj=75°C
0.01
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
正向电压： V
F
（毫伏）
V
F
-I
F
特征
0
0
50
100
150
200
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
100
f=1MHz
正向电压： V
F
（毫伏）
900
890
880
870
860
850
840
830
820
810
AVE ： 848.8mV
I
F
=0.5A
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
1
0
5
10
15
20
25
30
800
V
F
色散图
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
100
V
R
=200V
反向电流：我
R
（ nA的）
30
f=1MHz
V
R
=0V
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
25
AVE ： 1.8nA
AVE ： 24.3pF
1
I
R
色散图
20
CT色散图
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2/4
2011.10 - Rev.A的
RF05VA2S
　
数据表
30
反向恢复时间： TRR （ NS ）
IFSM
1cyc
30
I
F
=0.5A
I
R
=1A
Irr=0.25×I
R
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
25
25
20
8.3ms
20
15
15
AVE ： 10.2ns
10
AVE ： 13.7A
10
5
5
0
I
FSM
色散图
0
TRR色散图
100
I
FSM
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
8.3ms
8.3ms
100
I
FSM
时间
1cyc.
10
10
1
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
1
1
10
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
100
30
1000
20
短暂
热阻抗：的Rth （ ° C / W）
25
静电
放电测试ESD （ KV ）
AVE ： 28.2kV
Rth的第（j-一）
100
RTH （J -C ）
15
10
AVE ： 5.9kV
10
5
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
0
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
ESD色散图
时间： T（ S）
RTH- T特性
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2011.10 - Rev.A的
RF05VA2S
　
数据表
0.45
0.4
0.35
前进动力
耗散：PF （ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
D=0.1
D=0.05
D=0.5
正弦半波
D=0.2
特区
D=0.8
平均整流
正向电流IO（ A）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
D=0.2
D=0.1
D=0.05
特区
D=0.8
D=0.5
正弦半波
0A
0V
t
T
Io
V
R
D = T / T
V
R
=160V
Tj=150°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
Io
t
T
V
R
D = T / T
V
R
=160V
Tj=150°C
0
30
60
90
120
150
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
0A
0V
环境温度： TA（ ° C）
降额曲线（ IO- Ta）的
0.9
0.8
平均整流
正向电流IO（ A）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
D=0.2
D=0.1
D=0.05
特区
D=0.8
D=0.5
正弦半波
0
30
60
90
120
150
外壳温度：铊（ ° C）
降额曲线（ IO-铊）
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2011.10 - Rev.A的
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RSS8-151.8P
RT9808-22CV
RT9167-31CBR
RQJ0603LGDQATL-E
RX124024
RB-0524S
RE-0924S
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