型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI、IS66WVH8M8ALL-166B1LI、IS66WVH16M8DBLL-100B1LI、IS66WVS1M8ALL-104NLI、IS66WVS1M8BLL-104NLI、IS66WVS2M8BLL-104NLI、IS66WVS4M8ALL-104NLI、IS66WVH16M8DALL-166B1LI、IS66WVS2M8ALL-104NLI、IS66WVQ8M4DALL-200BLI、IS66WVQ8M4DBLL-133BLI、IS66WVE2M16EBLL-70BLI、IS66WVO8M8DBLL-166BLI、IS66WVO8M8DALL-200BLI、IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI串行和四路 RAM 解决方案非常适合医疗和可穿戴应用。串行 RAM 具有串行外设接口 (SPI) 兼容总线，包括 SPI(x1)/SDI(x2)/SQI(x4) 模式，这些模式为 x4 IO 提供了 6 个引脚的极低总线信号数和非常简单的命令。四路 RAM 具有四通道 DDR（x4 xSPI）接口命令（1 字节）= SDR、地址（2 字节）和数据 = DDR。
资源 低引脚数 RAM 解决方案手册 串行和四路 RAM 手册 特性 串行 RAM 具有 SPI 兼容总线：SPI(x1)/SDI(x2)/SQI(x4) 模式 串行 RAM 具有非常低的总线信号数：x4 IO 有 6 个引脚；CS#、SCK、SIO0 - SIO3，或 x1/x2 IO 有 4 个引脚：CS#、SCK、SI(SIO0)、SO(SIO1) 串行 RAM 具有非常简单的命令（7 个命令）：读/写内存、读/写寄存器、进入 SDI (x2)/SQI 模式 (x4) 以及返回 SPI 模式 (x1) 四路 RAM 具有四通道 DDR (x4 xSPI) 接口：命令（1 字节）= SDR、地址（2 字节）和数据 = DDR 四路 RAM 信号数量少：7 个信号引脚（CS#、SCLK、DQSM、SIO0 至 SIO3） 四路 RAM 具有可配置的封装突发长度：16、32、64 和 128 提供的密度：8 Mb、16 Mb、32 Mb 和 64 Mb 应用 物联网和可穿戴设备 汽车信息娱乐系统 工业自动化 便携式医疗设备 IS66WVE4M16ECLL-70BLI
