町以引起上述问题的污染物称为呵移动离子污染物( MIC)。它们是在材料中以离子形态存在的金属离子。而且，STP75NF75这些金属离子在半导体材料中具有很强的可移动性。也就是说，即便在器件通过了电性能测试并且运送出去，金属离子仍可在器件中移动从而造成器件失效．遗憾的是，能够在硅器件中引起这些问题的金属存在于绝大部分的化学物质中（见图5.4）。j所以，在一个晶圆卜，MIC污染物必须被控制在10Ⅲ原子/cm2的范围内甚至更少}，、

   钠是在未经处理的化学品中最常见的可移动离子污染物，同时也是硅中移动性最强的物质。因此，对钠的控制成为硅工艺的首要目标。MIC的问题在MOS器件中表现最为严蘑，这一事实促使一些化学品生产商研制开发MOS级或低钠级的化学品。超纯水制造也要求减少MIC。

   化学物质：在半导体I：艺领域第一大主要的污染物是不需要的化学物质。丁艺过程中所用的化学品和水可能会受到对芯片工艺产生影响的痕量物质的污染。它们将导致晶片表面受到不需要的刻蚀，在器件卜生成无法除去的化合物，或者引起不均匀的工艺过程氯就是这样·种污染物，它在工艺过程中用到的化学品中的含量受到严格的控制。

   细菌：细菌是第4类的主要污染物。细菌是在水的系统中或不定期清洗的表面生成的有机物、细菌---曰在器件L-形成，会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望见到的金属离子．

   空气中分子污染：空气中分子污染( AMC)是难捕捉之物的分子，它们从工艺设备，或化学品传送系统，或由材料，或人带人生产区域。晶圆从一个工艺设备传送到另一个能将搭乘分子带入下一个设备。AMC包括在生产区域使用的全部气体、掺杂品、加工用化学．吊，这些町能是氧气、潮气、有机物、酸、碱及其他物质-。

   它们在和灵敏的化学反应相关的工艺中危害最大，例如在光刻工艺中光刻胶的曝光时其他问题包括刻蚀速率的偏离和不需要的杂质，这些使器件的电参数漂移，改变刻蚀剂的湿法刻蚀特性，导致刻蚀不完善4；j。随着自劫化将更多的设备和环境引入到制造工艺中，探测和控制AMC是不可缺少的。在国际半导！体技术路线图( ITRS) 2011版中确定一个关注的来源，在良品率增强章节是前面开口通用容器( FOUP)、、在这些放晶圆容器中的塑料材料是排放AMC的一个来源。